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对于大电流负载，硬件设计都会使用多MOS并联的方案，但是这种多MOS并联的方案总是有一定比例的击穿，这是由于MOS的漏极过电流不一致导致某些MOS的电流分配过多导致热损坏。一般，解决这个问题的方法之一就是选择具有匹配阈值电压的MOSFET,相同电路，MOSFET的栅极驱动先停，但是其阈值电压不同，根据萨氏方程可知，漏极电流是不一样的 下图的仿真，两个MOS管阈值电压相差0.12V，输出漏极电流相差1.5A左右。现在的MOSFET同一批次的，阈值电压也可能相差0.5V以上。这是由于对于TrenchMOSFET电压会在晶圆内部变化。正是由于MOSFET的开启阈值电压不同，所以在相同的驱动信号Vgs作用下，就会导致MOS管的开通时刻不能统一，就会有MOS管先开通，也就是说让这个先开通的MOS管流过整个电路的所有电流。在这个时候，不对这个电流进行限制，就会造成先开通的MOS管超过SOA，从而损坏。由于Vgsth阈值电压是和温度有关的负温度系数，当漏极电流过大，造成温升高，Vgsth阈值电压会变得更低，从而导致MOS管热击穿的更快。 如果要解决阈值电压不一致的问题，就是分批筛选器件。但这是一种昂贵且操作过程复杂的解决方案，对产品要求很高。MOSFET厂商需要有大批量的订单，才会进行筛选。所以安世半导体使用的新型独特的均流技术，就可以让MOSFET在开关过程更均流。即使阈值电压不匹配，也能避免不均流的风险。可以让MOS管在导通的时刻，保证流过并联的每个管子的电流是相同的。 通过实验对比，使用均流技术的MOSFET和不使用均流技术的MOSFET在DUT上面的波形：都是使用四个MOSFET并联驱动一个感性负载
在两套DUT上，都会使用一个阈值电压不一致的MOS管，相差0.5V。在上电测试过程中发现，使用新均流技术的DUT的尖峰电压值要小得多，下图波形中，红色和黄色波形是使用均流技术DUT设备，尽管并联的MOS管阈值电压相差0.5V，但是MOS管的漏源电压震荡很小，减少了MOS管峰值不匹配的情况。 蓝色和绿色的波形，是常规技术，MOS管的漏源电压震荡的严重，也从侧面说明MOS管开启过程不顺畅，显然漏极电流也是不一致的。 两种DUT在相同测试环境下，其VDS的峰峰值之间存在很大的差异，通过降低使用不匹配器件时候的电流尖峰，衰减就可以减小。安世半导体这种均流技术，可以不依赖MOS管阈值电压来保持匹配以均匀分流，可以让工程师在设计的时候不再需要依赖阈值电压参数的匹配，就能提供更好的均流。也就可以增加系统的最大额定电流，也可以减少不必要的余量设计。通过平衡所有并联器件的功率分布，就能减少每个MOSFET的应力。就可以提高系统的性能，提高产品生命周期的可靠性，充分发挥MOSFET的性能。也就不需要在制造阶段进行繁琐的筛选，节省相关的成本，降低复杂性。这种技术在已经在安世的MOSFET中得到应用，感兴趣的可以找安世的FAE咨询，在上百安培的大电流场合使用很方便。
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