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MOS管作为硬件工程师的老朋友，在各种场合都需要“粉墨登场”，用的时候，让人欢喜人让人愁，就是简简单单在栅极加一个驱动电阻都要各种考虑，驱动电阻加大了，这个电阻与Cgs构成RC低通滤波器，让mos管电压不能快速变化，工作在饱和区了。也就是这个栅极串接电阻增大会使充电电流减小，充电过程变缓慢，导致MOS管同时存在电压和电流时间变长，所以发热会更严重。MOS管的损耗太大，说不定那一天就烧了。但是加大了也是有好处，开通过程慢，也就是高次谐波少，毕竟梯形波比方波在EMI设计上更为友好。很多时候EMI辐射超标，都会拿这个电阻动手，先加大了再说。功耗放后面，实在不行上风冷，风冷不行还可以油冷。本来加这个电阻的目的就是限制驱动电流，防止瞬间驱动电流过大导致驱动芯片能力不足或者损坏。但是徒奈何，电路寄生参数太多，除了寄生电容，还有导线的等效电感。 这样又会组成LC谐振电路，栅极增加电阻又会有好处，mos管栅极串联电阻 ，消耗震荡的能量，可提供阻尼吸收。当然这种LC谐振，可以通过改善PCB布局，降低电路板走线产生的等效电感，尽管MOS管栅极电流小，但是需要增大栅极布线，就可以降低走线电感，即使不增加MOS管栅极电阻，也可以改善栅极LC谐振。然而LC谐振不仅发生在MOS管导通的过程，在MOS管关闭过程也会发生谐振，这个时候就会发生MOS管误导通的现象，尤其是有上下MOS管的时候，比如BUCK电路，这种关断过程再次误导通，会导致上下MOS管直通，从而烧毁。所以很多电路可以把栅极驱动电阻分为Ron和Roff两个设计，对应不同的谐振峰值，也可以改善功耗。在以上分析中，MOS管串联电阻有正面的作用，也有负面的作用，所以该电阻一会是帮手一会又是“敌人”。所以设计硬件电路，就是取一个平衡，找到最优解。 对于大功率的应用，从控制MCU输出的是PWM方波，但是在MOS管栅极测量的信号就会是反复震荡的波形-振铃。当振铃的峰值超过Vgs的耐压，MOS栅极的氧化层就会被击穿而损坏。 这种GS振铃的产生，除了有上节提到的栅极等效电感和Cgs电容谐振产生。mos管的GS振铃多半还有可能是由于DS震荡通过寄生电容传递过去的、振铃有开通振铃和关断振铃、硬开关桥式调制电路开通和关断都会有振铃、振铃源自于DS间的寄生电容（关断管）和回路的电感之间的谐振，这个在硬开关是无法避免的，一般加个一阶阻尼就可以吸收掉、DS不震荡、GS必然就不震荡了、还有单开关系统、例如反激、一般开通不振关断振、因为关断后变压器漏感会和寄生电容发生震荡通过接电容传递到GS，话说回来如果是DS震荡引起的GS震荡、那么应该首先考虑怎样减小GS间的震荡、例如换寄生参数更小的管子，GS加吸收等等。
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