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LLC MOSFET 在死区内Vgs振荡问题

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楼主
如题,先上波形图,黄色1:下管MOSFET 的Vgs;蓝色3:下管MOSFET的Vds;红色4:谐振槽电流;问题一:在LLC启动过程,上管打出驱动时,下管有将近2V的振荡电压,预接近MOSFET的Vth(2Vmin),担心共通;
问题二:在死区时间内,下管导通之前,或者说上管关断时,下管的Vgs振荡,振荡幅值超出Vth,
问题三:总感觉这个启机电流过大,不知道是否上述问题有影响,
目前有尝试过初级PCB走线问题,但试下并没有太大改善。






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沙发
sanzi666| | 2023-5-29 14:03 | 只看该作者
很大可能是测试干扰造成的

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王栋春 2023-5-29 14:12 回复TA
那么在测试过程中,该如何规避这种情况? 
板凳
sanzi666| | 2023-6-2 08:02 | 只看该作者
用差分探头直接测试MOS,管脚处的VGS电压,

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地板
王栋春|  楼主 | 2023-6-2 08:04 | 只看该作者
sanzi666 发表于 2023-6-2 08:02
用差分探头直接测试MOS,管脚处的VGS电压,

收到,等忙完回工作室按坛友的方法操作一下。

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