红外热像仪的优劣从技术角度来说，主要集中在探测芯片、图像算法和测温算法三个层面。红外热像仪中的红外芯片采用不同的热敏材料制成，常见的有氧化钒（VOx）和非晶硅（α-Si）两种材料。
红外探测芯片一个很重要的指标是像元间距，该指标直接影响到成像仪可以实现的像素水准。目前市面上常用的红外热像仪普遍使用的红外探测芯片像元间距是17μm。17μm可以说是两种材料红外探测芯片的分水岭，因为在此像元间距下，氧化钒和非晶硅性价比是差不多的，氧化钒的高质量成像优势但更贵，非晶硅成像能力弱但成本更低。
从17μm像元间距开始，基于非晶硅的红外芯片成像质量就明显落入下风，到12μm像元间距甚至更小的间距，则完全是氧化钒的天下。热像仪的清晰程度本质上需要更小的像元间距作为支撑，在强大核芯的基础上，配合高质量的图像算法和测温算法，才能准确地建立清晰的热成像图。
民用市场自然不可能追求技术领先不考虑成本，虽然更小像元间距的红外芯片成本会更高，但厂商也有不少摊薄成本的办法。例如艾睿光电在小像元间距上通过大批量产也在尽可能降低12μm、10μm和8μm芯片成本，高德红外通过晶圆级封装解决微型化和成本问题。
AMEYA360报道：红外热成像背后的技术支持 |
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