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MOS管关断感性负载的保护机制

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dfr3602|  楼主 | 2012-4-27 09:31 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, 感性负载, 电动, 电路, 芯片
看到一芯片的内部结构有图中红色框中的电路部分，提到在外接感性负载时，会产生反电动势，而内部的Z1和D1可以起到保护作用，那保护的原理是什么

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沙发
dfr3602|  楼主 | 2012-4-27 09:33 | 只看该作者
这是电路图

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板凳
HWM| | 2012-4-27 09:43 | 只看该作者
似乎应该是PMOS....

这个应该是用来限制Ugs。

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地板
lhkjg| | 2012-4-27 09:45 | 只看该作者
Q1才是保护感性负载的

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5楼
dfr3602|  楼主 | 2012-4-27 10:16 | 只看该作者

这是datasheet里的电路图

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6楼
qq609048002| | 2012-4-27 11:26 | 只看该作者
D1和Z1是限制Ugs防止Ugs过大，Q1用于泄放感性负载关断瞬间产生的大电流从而保护MOS管的

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7楼
dfr3602|  楼主 | 2012-4-27 12:46 | 只看该作者
D1和Z1是怎样防止Ugs过大的呢？
6# qq609048002

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8楼
dfr3602|  楼主 | 2012-4-27 12:49 | 只看该作者

这是该部分的电路说明，从这上面看好像是为了防止GS之间的PN结因高压而雪崩击穿的，但是电压方向又不对了。搞不懂？

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9楼
t.jm| | 2012-4-27 13:34 | 只看该作者
因为是NNOS，如果S极感应出负高压，而G极又被D1、Z1钳住，所以UGS>0，然后NMOS导通。

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10楼
EMP_| | 2012-4-27 14:25 | 只看该作者
qq609048002 完全就没看 5楼 的管型瞎扯蛋了。
9楼 说到点子上了。当由于感性负载使NMOS管的源极(S)出现负压，且大于Zds所钳制的电压，即源极电压小于(Vs-Vzds)时，Vzd导通，进而使NMOS管导通，给感性负载提供续流回路，以保护芯片的端口。

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11楼
dfr3602|  楼主 | 2012-4-27 17:10 | 只看该作者
那这样的话会不会出现一种情况是，源级虽然产生了负压，但是其幅值较小，导致栅级跟源级之间的电压值较小而不能使MOS管导通。

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12楼
dfr3602|  楼主 | 2012-4-28 09:03 | 只看该作者
顶一下，如果会有上面的情况的话，那如果外接感性负载的话外面一定要接续流二极管了。

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13楼
PowerAnts| | 2012-4-28 14:58 | 只看该作者
同意4楼，9楼。
=============================
感性负载关断后，磁场储能需要一个辞放的通道，一般会采用专门的消磁电路，如：RC，RCD，D，有源钳位等；
本案的应用，则勿需专门的消磁电路，当驱动脉冲关闭后，感性负载电流会下降，自感电动势上负下正，让NMOS处于恒流区消耗磁场能量。直到消磁完成后自感电动势消失，实现软关断。保护NMOS不被击穿。

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14楼
dfr3602|  楼主 | 2012-4-28 15:10 | 只看该作者
感谢楼上的回复，基本明白了，等再实验试一下。

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