NMOSFET导通电压问题

登录 · 发表于 2012-4-27 10:03

老是在书上看到N沟道mosfet导通的问题，低端驱动时，S极接地，D接正电源，G接控制信号，当Vgs达到阈值电压时，NMOS就会导通。

但是今天做了一个试验，手册上写门阈值电压为3~5V，为什么我直接在G加上5V电压却没有导通呢，反而电压要加Vd+5V才能完全导通？
这是怎么回事啊？
难道我理解手册有误？

有图有真相：

发表于 2012-4-27 10:07

达到什么样的条件，能彻底保证NMOSFET处于关断、导通状态？

发表于 2012-4-27 10:11

是VGS，不是VG

登录 · 发表于 2012-4-27 10:27

噢，我可能搞错了，再上传两张，电路图应该是这样的，这样才是S接地。低端驱动

而且，我发现，如果栅极施加的电压低的话，NMOS可能处于线性状态，而随着栅极电压的加高，NMOS的导通程度越来越大，按照手册上来说，VGS最大30V，所以，我这里只加了30V，但即使这样，NMOS导通后还有4V的压降？？这么大啊？

发表于 2012-4-27 10:32

本帖最后由 andyany 于 2012-4-27 10:45 编辑

LZ，按你的电路图，FET要导通，LED上的正向压降要大于门坎电压。

发表于 2012-4-27 10:36

D1再串联个电阻。

登录 · 发表于 2012-4-27 10:38

发表于 2012-4-27 12:36

所以需要串电阻限流。

发表于 2012-4-27 14:18

MOS管的导通, 是栅源电压大于Vth, 而非栅极电压大于Vth, 其参考点在S极,不在于VSS

发表于 2012-4-27 14:28

手册上写着，是3-5V之间开启，也就说要保证每个都能顺利开启，你的VGS电压必须在5V以上。最好在8-10V，这样的话导通充份，内阻最低。

发表于 2012-4-27 16:56

向各位牛人学习。

发表于 2012-4-28 09:34

在设计MOSFET系列的电路时，要考虑他自己的电流。我们目前一般用的无非就是电流控制电压，电压控制电流，电流控制电流，电压控制电压。在设计过程中要有相应的电阻做保护电流保护。

发表于 2012-4-28 17:07

4# shell.albert

请问这个电路图使用什么软件画出来的？

发表于 2012-5-20 23:40

短路了

发表于 2012-5-21 08:21

13# andyany
Proteus

发表于 2014-6-17 14:48

来学习NMOS

NMOSFET导通电压问题

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