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NMOSFET导通电压问题

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shell.albert|  楼主 | 2012-4-27 10:03 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOSFET, 电压, AC, 阈值, 阈值电压
老是在书上看到N沟道mosfet导通的问题，低端驱动时，S极接地，D接正电源，G接控制信号，当Vgs达到阈值电压时，NMOS就会导通。

但是今天做了一个试验，手册上写门阈值电压为3~5V，为什么我直接在G加上5V电压却没有导通呢，反而电压要加Vd+5V才能完全导通？
这是怎么回事啊？
难道我理解手册有误？

有图有真相：

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沙发
shell.albert|  楼主 | 2012-4-27 10:07 | 只看该作者
达到什么样的条件，能彻底保证NMOSFET处于关断、导通状态？

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板凳
efen| | 2012-4-27 10:11 | 只看该作者
是VGS，不是VG

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地板
shell.albert|  楼主 | 2012-4-27 10:27 | 只看该作者
噢，我可能搞错了，再上传两张，电路图应该是这样的，这样才是S接地。低端驱动

而且，我发现，如果栅极施加的电压低的话，NMOS可能处于线性状态，而随着栅极电压的加高，NMOS的导通程度越来越大，按照手册上来说，VGS最大30V，所以，我这里只加了30V，但即使这样，NMOS导通后还有4V的压降？？这么大啊？

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5楼
andyany| | 2012-4-27 10:32 | 只看该作者
本帖最后由 andyany 于 2012-4-27 10:45 编辑

LZ，按你的电路图，FET要导通，LED上的正向压降要大于门坎电压。

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6楼
wangmu7206| | 2012-4-27 10:36 | 只看该作者
D1再串联个电阻。

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7楼
shell.albert|  楼主 | 2012-4-27 10:38 | 只看该作者

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8楼
wangmu7206| | 2012-4-27 12:36 | 只看该作者
所以需要串电阻限流。

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9楼
PowerAnts| | 2012-4-27 14:18 | 只看该作者
MOS管的导通, 是栅源电压大于Vth, 而非栅极电压大于Vth, 其参考点在S极,不在于VSS

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10楼
wenwen2012| | 2012-4-27 14:28 | 只看该作者
手册上写着，是3-5V之间开启，也就说要保证每个都能顺利开启，你的VGS电压必须在5V以上。最好在8-10V，这样的话导通充份，内阻最低。

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11楼
auto_dev| | 2012-4-27 16:56 | 只看该作者
向各位牛人学习。

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12楼
liubo0702| | 2012-4-28 09:34 | 只看该作者
在设计MOSFET系列的电路时，要考虑他自己的电流。我们目前一般用的无非就是电流控制电压，电压控制电流，电流控制电流，电压控制电压。在设计过程中要有相应的电阻做保护电流保护。

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13楼
andyany| | 2012-4-28 17:07 | 只看该作者
4# shell.albert

请问这个电路图使用什么软件画出来的？

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14楼
Siderlee| | 2012-5-20 23:40 | 只看该作者
短路了

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15楼
shell.albert|  楼主 | 2012-5-21 08:21 | 只看该作者
13# andyany
Proteus

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16楼
witzly| | 2014-6-17 14:48 | 只看该作者
来学习NMOS

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