Detection of high-power Darlington transistor

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qbwww|  楼主 | 2023-5-28 12:48 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 qbwww 于 2023-8-31 12:27 编辑

检测大功率达林顿管的方法与检测普通达林顿管基本相同。但由于大功率达林顿管内部设置了V3、R1、R2等保护和泄放漏电流元件,所以在检测量应将这些元件对测量数据的影响加以区分,以免造成误判。具体可按下述几个步骤进行:
    1、用万用表R×10K挡测量B、C之间PN结电阻值,应明显测出具有单向导电性能。正、反向电阻值应有较大差异。


    2、在大功率达林顿管B-E之间有两个PN结,并且接有电阻R1和R2。用万用表电阻挡检测时,当正向测量时,测到的阻值是B-E结正向电阻与R1、R2阻值并联的结果;当反向测量时,发射结截止,测出的则是(R1+R2)电阻之和,大约为几百欧,且阻值固定,不随电阻挡位的变换而改变。但需要注意的是,有些大功率达林顿管在R1、R2、上还并有二极管,此时所测得的则不是(R1+R2)之和,而是(R1+R2)与两只二极管正向电阻之和的并联电阻值。

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qbwww|  楼主 | 2023-5-28 12:48 | 显示全部楼层
用万用表电阻挡检测时,当正向测量时,测到的阻值是B-E结正向电阻与R1、R2阻值并联的结果

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桂维| | 2023-5-28 19:19 | 显示全部楼层
感谢分享,练好基本功很重要

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井古| | 2023-5-28 19:24 | 显示全部楼层
通过OV7670摄像头进行图像采集

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加西亚| | 2023-5-28 19:29 | 显示全部楼层
PCB的制造过程由玻璃环氧树脂(Glass Epoxy)或类似材质制成的PCB“基板”开始

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Wilmot| | 2023-5-28 19:35 | 显示全部楼层
I2C1的时钟可以自行选择HSI或者SYSCLK

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蓝良工| | 2023-5-28 19:40 | 显示全部楼层
事实上很多做项目的工程师本身自己也会在用

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Jim789| | 2023-5-28 19:45 | 显示全部楼层
这是个再正常不过的coding习惯

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John11111| | 2023-5-28 19:51 | 显示全部楼层
超过变量128后必须使用compact模式编译

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Needham| | 2023-5-28 19:56 | 显示全部楼层
CPLD解密,DSP解密都习惯称为单片机解密

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Fowler556| | 2023-5-28 20:01 | 显示全部楼层
待向GPIO(通用I/O端口)的输入从0变为1时,程序可以一定的间隔来检查GPIO的状态

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Howard1980| | 2023-5-28 20:06 | 显示全部楼层
很好的资料

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qbwww|  楼主 | 2023-8-31 12:27 | 显示全部楼层
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qbwww|  楼主 | 2023-8-31 12:27 | 显示全部楼层
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qbwww|  楼主 | 2023-8-31 12:27 | 显示全部楼层
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qbwww|  楼主 | 2023-8-31 12:27 | 显示全部楼层
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qbwww|  楼主 | 2023-8-31 12:27 | 显示全部楼层
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qbwww|  楼主 | 2023-8-31 12:28 | 显示全部楼层
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qbwww|  楼主 | 2023-8-31 12:28 | 显示全部楼层
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qbwww|  楼主 | 2023-8-31 12:28 | 显示全部楼层
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