做了一个VI转化电路，mosfet非常烫，求分析！

只看该作者 · 2012-4-27 17:09

大家好，做了一个VI转化电路，如图

mosfet非常烫，用手摸下，皮都烫黄了，用的是IRF520N，
测了一下，Ugs 4V左右，Uds 也是6V左右，Id 100mA，
mosfet的最大耗散功率Pd=40W，现在才是6*0.1=0.6W，就这么烫是怎么回事？
另外，我的Vin用LM399给定，示波器FFT分析上有3MHz及更高频的频率信号，发热是否和这些高频信号有关？

只看该作者 · 2012-4-27 17:24

温度除了和发热功率有关外，还和散热条件有关。40W的最大耗散功率是指足够散热的情况下的，需要配上合适的散热器。只是TO-220的封装能有40W吗？

只看该作者 · 2012-4-27 19:16

2# qzlbwang datasheet上是这么写的！

只看该作者 · 2012-4-27 19:24

不是数据手册写错，是你的理解问题

只看该作者 · 2012-4-27 19:46

4# qzlbwang 那这个应该怎么理解呢？请教！:)确实刚接触MOSFET

1万 · 2012-4-27 19:58

不管是用mosfet 还是bjt
datasheet上一般都有一个参数，就是功率每上升1W，温度会上升多少°C，

只看该作者 · 2012-4-27 20:19

功率管的功耗都是要在特定的散热条件下才达得到的。也就是要根据其功耗装上散热面积足够大的散热器，且散热条件良好，否则还需要采用如强制通风等措施。

只看该作者 · 2012-4-27 20:56

6# edanzg
现在实测mos管的温度为80℃以上，是否和这个参数不对应！

只看该作者 · 2012-4-27 20:59

7# qzlbwang
现在管子的温度为80℃，是否为不正常发热？
另外TO220封装的加的小散热片好像起不了多少作用！

1万 · 2012-4-27 21:15

没有散热器，管子的温度怎么散得出去？？

只看该作者 · 2012-4-27 21:19

你电容Cc 加上是干啥用的，何想法。

你把参数都标上。

你用示波器测量一下采样电阻上端那点，看看波形。振荡了吧

只看该作者 · 2012-4-27 21:58

请问：DS18B20温度显示正确，而DS1820却显示86.9度，什么原因？

2万 · 2012-4-27 22:40

TO-220不加散热器的热阻大约50-60K/W, 0.6W最多温升35度（扣掉结到外壳温差），能有80度壳温不奇怪，可能MOSFET所处的位置温度本来就比较高，可能在45-50度的环境温度

只看该作者 · 2012-4-27 23:23

TO220无散热器，0.6W左右没问题的，对IRF520 温升35~42度左右。

问题在于自激振荡了，开关损耗大了。

请去掉没用又捣蛋的Cc（Rc也去掉），同时在运放输出端与反相端并个小电容，振荡即可消除，

彭建学上海

只看该作者 · 2012-4-27 23:43

我也觉得是振荡导致的，哈哈，看来我要入门了。
彭老师，为什么振荡了开关损耗就大了？

只看该作者 · 2012-4-28 08:33

13# PowerAnts 工作环境和室温是一样的，也就20度左右，另外，那个小散热片有这么大的作用么，看着很不起眼么？呵呵！

只看该作者 · 2012-4-28 09:11

13# PowerAnts 工作环境和室温是一样的，也就20度左右，另外，那个小散热片有这么大的作用么，看着很不起眼么？呵呵！
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lintriumph 发表于 2012-4-28 08:33

你自己算算：它的散热面积比原来大多少倍呢？

只看该作者 · 2012-4-28 09:32

目测那个散热器对你算出的0.6W足够了，温升很小。

发烫问题在于振荡引起了开关损耗。

开关损耗的机理：
1，当开关关断时，尽管开关两端电压最高，但流过开关的电流为0，所以截止状态损耗为0.

2，当开关导通时，尽管流过开关的电流最大，但开关两端的电压很小，所以导通损耗小（
对三极管取决于饱和压降，对MOS管取决于导通电阻）。

3，开关在放大状态时，电压和电流均较大，乘积大，损耗大

4，开关由截止到导通，由导通到截止，需要渡越放大区，渡越时间越长（取决于开关速度），损耗越大。

5，当开关的上升沿时间和下降沿时间不变，则频率越高，单位时间内开关次数越多，损耗越大。

6，设计的不好，开关损耗可能远比导通电阻的损耗大。

彭建学上海