做了一个VI转化电路,mosfet非常烫,求分析!

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yhf311 发表于 2012-5-4 14:10 | 显示全部楼层
这个帖子非常好,希望可以继续探讨,有关反馈的知识,理解的不够啊!
urmif 发表于 2012-5-5 09:25 | 显示全部楼层
为个帖子看到这里,楼主的问题似乎已经解决了……
毫无疑问,楼主的电路确实振荡了。但是,没有人分析振荡的原因,可能很多人都知道是环路引起,可是没有人去分析下环路问题,而是去猜去想,可能有些有经验的知道怎么去改动,但是对大部分人来说,还是不知道。我觉得有必要从环路入手,一步步把问题分析透彻,而不是只要问题解决就万事大吉了。
urmif 发表于 2012-5-5 09:28 | 显示全部楼层
建议楼主给出详细的参数:如运放型号,电源电压,MOSFET型号、采样电阻大小,以及其他反馈电阻电容的参数,和楼主的输出电流范围。
这个问题,绝对可以从理论上分析清楚,甚至确定环路增益和相伴裕量,不求定量分析,至少应该能定性分析清楚。
121950 发表于 2012-5-11 21:35 | 显示全部楼层
我们学习的榜样
老愚童学习 发表于 2012-5-13 10:06 | 显示全部楼层
应该与工作频率有关!0.6W的耗散功率根本就不可能是MOS管烫手!
cuizb2583 发表于 2012-5-13 13:14 | 显示全部楼层
还是比较怀疑自激震荡
发烫问题在于振荡引起了开关损耗。

开关损耗的机理:
1,当开关关断时,尽管开关两端电压最高,但流过开关的电流为0,所以截止状态损耗为0.

2,当开关导通时,尽管流过开关的电流最大,但开关两端的电压很小,所以导通损耗小(
   对三极管取决于饱和压降,对MOS管取决于导通电阻)。

3,开关在放大状态时,电压和电流均较大,乘积大,损耗大

4,开关由截止到导通,由导通到截止,需要渡越放大区,渡越时间越长(取决于开关速度),损耗越大。

5,当开关的上升沿时间和下降沿时间不变,则频率越高,单位时间内开关次数越多,损耗越大。

6,设计的不好,开关损耗可能远比导通电阻的损耗大。
zjp8683463 发表于 2012-5-13 13:20 | 显示全部楼层
67# cuizb2583

这个电路是线性调整,mos管根本不是开关状态.
所以你的分析无意义
sliverlords 发表于 2012-5-16 19:22 | 显示全部楼层
表示刚刚接触mosfet
lovemegril 发表于 2012-5-17 21:07 | 显示全部楼层
851628528 发表于 2012-5-19 17:29 | 显示全部楼层
你的mos管的驱动电压是多少?mos管没有饱和耗散功率自然大。这个电路还满足不了自激震荡的条件吧,驱动电压最好大于5v,取前级电压最好。
谈的元 发表于 2012-6-3 23:41 | 显示全部楼层
好贴笔记
nj21ic 发表于 2012-6-4 11:07 | 显示全部楼层
听君一席话胜读十年书。。前馈电容是个关键啊
zhaoweichao 发表于 2012-6-5 14:15 | 显示全部楼层
请问楼主 ,这个电路如果产生1A电流如何?
momomomo 发表于 2012-6-8 08:15 | 显示全部楼层
高速变频电机设计与电机智能设计方法的研究
ddzy51 发表于 2012-6-21 21:42 | 显示全部楼层
路过……
zl82495502 发表于 2012-7-17 21:19 | 显示全部楼层
MOSFET发热其实挺正常的!在正常的工作情况下他的发热确实是很夸张的 曾见过TI的一款开发板 里面FPC模块里用到两只管子!上面背着好大两个散热器!向楼主说的那个问题我觉得0.6W应该是对的!建议检查两个方面!震荡。和开关损耗!其实楼主你看看两本关于高频开关电源的书籍里面我记得有写到
overfire 发表于 2012-7-25 18:21 | 显示全部楼层
63# urmif

:handshake
yang91204 发表于 2012-8-3 16:20 | 显示全部楼层
多谢楼主发表此贴,多谢彭老师详解,多谢大家,偶然的机会看到此贴,间接解决在下的问题,多谢!
shuai0708 发表于 2012-8-4 00:59 | 显示全部楼层
不知cs去掉rs减小有效果没,能有效提高开关速度,减小渡越放大区的时间吗?
shuai0708 发表于 2012-8-4 00:59 | 显示全部楼层
不知cs去掉rs减小有效果没,能有效提高开关速度,减小渡越放大区的时间吗?
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