MM32F002使用内部flash存储数据怎么操作？

只看该作者 · 2023-6-16 10:43

本帖最后由 GGbb123 于 2023-6-16 10:51 编辑

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// 从EEPROM中读取上一组写入的数据的函数s32 EEPROM_Read(u8* ptr, u16 len);
// 将数据写入EEPROM中的函数
s32 EEPROM_Write(u8* ptr, u16 len);

我是直接用MM32F002的例程，为什么使用这两行代码存储set_wendu这个全局变量存储不了。

试过改EEPROM_Write，EEPROM_Read这两个函数的在代码行中的先后顺序，FLASH的保存地址操作但还是不行。

总的代码量在25KB，MM32F002flash空间为32KB。

复制

#include "hal_conf.h"

#include <string.h>

#include "flash.h"





#define M8(adr)  (*((vu8  *) (adr)))

#define M16(adr) (*((vu16 *) (adr)))





#define BASED_FLASH_SECTOR_ADDRESS    (0x08000000+30*1024+4)



// 擦除指定FLASH页的函数

static void FLASH_SIM_EraseEE(u32 pageAddress)

{

    FLASH_Unlock();

    FLASH_ErasePage(pageAddress);

    FLASH_Lock();

}



// 在指定地址处编程缓冲区的函数

static void FLASH_SIM_ProgramEE(u16* buf, u32 addr, u16 len)

{

    u16 i;

    FLASH_Unlock();

    for ( i = 0; i < len / 2; i++) {

        FLASH_ProgramHalfWord(addr, *buf);

        addr += 2;

        buf++;

    }

    FLASH_Lock();

}



static u8 FLASH_SIM_FindEmpty(u32 ptr, u16 len)

{

    u16 i, readdata;

    u8  ret = 1;

    for (i = 0; i < (len / 2); i++) {

        readdata = M16(ptr + i * 2);

        if ( readdata != 0xffff) {

            ret = 0;

            break;

        }

    }

    return ret;

}



// 确定指定地址上可写入数据的区域的函数

u32 FLASH_SIM_WriteLocate(u32 pageAddress, u16 len)

{

    u16 i;

    u32 ptr = pageAddress;

    if( (pageAddress % 2 ) != 0) {

        while(1);

    }

    if((0x800 % len) != 0)

        while(1);



    for (i = 0; i < (0x0800 / len); i++) {

        ptr = (pageAddress + i * len);

        if (FLASH_SIM_FindEmpty(ptr, len) == 1) {

            break;

        }

    }

    if(i == (0x0800 / len))

        ptr = 0;

    return ptr;

}



// 在指定地址处写入缓冲区的函数

static void FLASH_SIM_WriteEE(u16* buf, u32 pageAddress, u16 len)

{

    u32 ptr = FLASH_SIM_WriteLocate(pageAddress, len);

    if (ptr == 0) {

        FLASH_SIM_EraseEE(pageAddress + 0x000);

        FLASH_SIM_EraseEE(pageAddress + 0x400);

        FLASH_SIM_ProgramEE(buf, pageAddress, len);

    }

    else {

        if (ptr == (pageAddress + 0x0400 - len)) {

            FLASH_SIM_EraseEE(pageAddress + 0x400);

            FLASH_SIM_ProgramEE(buf, (u32)ptr, len);

        }

        else if (ptr == (pageAddress + 0x0800 - len)) {

            FLASH_SIM_EraseEE(pageAddress + 0x000);

            FLASH_SIM_ProgramEE(buf, (u32)ptr, len);

        }

        else {

            FLASH_SIM_ProgramEE(buf, (u32)ptr, len);

        }

    }

}



// 初始化EEPROM的函数

void FLASH_SIM_EEPROM_Init(void)

{

    FLASH_SIM_EraseEE((u32)(BASED_FLASH_SECTOR_ADDRESS) + 0x0000);

    FLASH_SIM_EraseEE((u32)(BASED_FLASH_SECTOR_ADDRESS) + 0x0400);

}



// 从EEPROM中读取上一组写入的数据的函数

s32 EEPROM_Read(u8* ptr, u16 len)

{

    u32 pAddr;

    pAddr = FLASH_SIM_WriteLocate((u32)BASED_FLASH_SECTOR_ADDRESS, len);



    if (pAddr == 0) {

        return  -1;

    }

    else if (pAddr == BASED_FLASH_SECTOR_ADDRESS) {

        pAddr = (BASED_FLASH_SECTOR_ADDRESS + 0x0800 - len);

    }

    else {

        pAddr -= len;

    }

    memcpy(ptr, (s8*)pAddr, len);



    return len;

}



// 将数据写入EEPROM中的函数

s32 EEPROM_Write(u8* ptr, u16 len)

{



    FLASH_SIM_WriteEE((u16*)ptr, (u32)(BASED_FLASH_SECTOR_ADDRESS), len);

    return len;

}