ROHM开发了新系列的Nch MOSFET（40V/60V/80V/100V/150V）RS6xxxxBx/RH6xxxxBx系列，适用于使用24V/36V/48V电源运行的应用，如工业和消费类设备的基站、服务器和电机。
然而，一般MOSFET的特点是导致功率损耗的两个主要参数：导通电阻（RDS（on）），与芯片尺寸成反比，以及栅极漏极电荷（Qgd）与芯片尺寸成比例增加，这使得实现两者具有挑战性。罗姆通过采用铜夹连接和改进栅极结构，改善了两者之间的权衡。
新型MOSFET通过提高器件性能并采用具有低电阻铜夹连接的HSOP2/HSMT1封装，实现了业界领先的50.8mΩ导通电阻，比传统器件低约8%。此外，Rohm表示，与传统产品相比，改进元件栅极结构可将Qgd（通常与RDS（on）处于权衡关系）降低约40%（比较RDS（on）和60V HSOP8封装产品的Qgd的典型值）。
这些改进降低了开关和传导损耗，极大地提高了应用效率。例如，在比较工业设备电源评估板的效率时，罗姆的新产品在稳态运行期间的输出电流范围内实现了约95%（峰值）的行业领先效率。
应用示例包括服务器和通信基站的电源、工业和消费类产品的电机以及各种电源电路和配备电机的设备。
AMEYA360报道：ROHM宣布推出新型MOSFET |
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