|
ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化镓(GaN)FET采用低导通电阻和高速开关来提高电源转换效率和减小尺寸。该款高度可靠的GNP1 FET具有内置ESD保护和出色的散热性能，方便安装。应用包括高开关频率和高密度转换器。 特性 》650V E模式GaN FET 》低导通电阻 》高速开关 》内置ESD保护 》高度可靠的设计 》帮助减少电源转换效率和尺寸 》出色的散热性能 》符合RoHS标准 应用 》高开关频率转换器 》高密度转换器 规范 》GNP1070TC-Z 》DFN8080K封装类型 》连续漏极电流范围：7.3A至20A 》脉冲漏极电流范围：24A至66A 》漏源电压：650V 》瞬态漏源电压：750V 》栅源电压范围：-10VDC 至+6VDC 》瞬态栅源电压：8.5V 》+25℃时功耗：56W 》栅极输入电阻：0.86Ω(典型值) 》输入电容：200pF(典型值) 》输出电容：50pF(典型值) 》输出电荷：44nC 》总栅极电荷：5.2nC(典型值) 》典型接通延迟时间：5.9ns 》典型上升时间：6.9ns 》典型关闭延迟时间：8.0ns 》典型下降时间：8.7ns 》GNP1150TCA-Z 》DFN8080AK封装样式 》连续漏极电流范围：5A至11A 》脉冲漏极电流范围：17A至35A 》漏源电压：650V 》瞬态漏源电压：750V 》栅源电压范围：-10VDC 至+6VDC 》瞬态栅源电压：8.5V 》+25℃时功耗：62.5W 》栅极输入电阻：2.6Ω(典型值) 》输入电容：112pF(典型值) 》输出电容：19pF(典型值) 》输出电荷：18.5nC 》典型总栅极电荷：2.7nC 》典型接通延迟时间：4.7ns 》典型上升时间：5.3ns 》典型关闭延迟时间：6.2ns 》典型下降时间：8.3ns
| 
楼主
标题置顶
标题高亮
