关于齐纳管应用的问题

只看该作者 · 2023-6-25 20:39

现在有这样一个双向齐纳芯片，并联在蓝光LED芯片两端，目的是增加LED的抗ESD性能，

齐纳芯片规格如下：

现在只看反向保护部分，LED芯片最大反向耐压是30V。之前批次的齐纳芯片：在5mA反向电流时，测得的反向电压是14V左右；新的批次：在5mA反向电流时，反向电压是18V左右。反馈供应回复是不影响产品使用，且新批次防护性能更好。

我自己分析了下，根据齐纳管的伏安特性曲线，若加在两批次芯片两端的反向电压都是18V，新批次的反向电流是5mA，那么旧批次的反向电流应该大于5mA，即：新批次的芯片在相同电压下的功耗更低，似乎新批次更好。但是，从另外一方面考虑，旧批次在14V时就能启动保护，而新批次在18V时才启动保护，应该是旧批次防护性能更好。拿不准到底哪种分析是合理的。所以，请各位帮忙分析下，到底是哪个批次的芯片防护性能更好？该如何分析？先谢过各位了！

1万 · 2023-6-26 09:40

不用考虑这么复杂，下面这个抗ESD没问题：

只看该作者 · 2023-6-26 15:17

本帖最后由 zlf1208 于 2023-6-26 15:38 编辑

15年前，我使用一种激光二极管LD，非常贵，800元一个。该LD很金贵，如果不做保护，在操作过程中极易被人体的静电损坏，由于LD使用在1MHz的高频开关状态，在LD二端反向并联稳压管或开关二极管会因为结电容导致开关性能下降（当时还没有听说过TVS，更别说适用于高频电路的高速TVS了），后来灵机一动，直接在LD二端并联一个10K的电阻，问题就解决了，这个方案直到今天还在使用，经受了时间的考验。

所以，正如马斯克所说，大家一定要掌握第一性原理，看到事物的本质，从本质上、根源上去思考问题的本源，困难就会迎刃而解。以上面的方案为例，并联了10K电阻后，静电通过10K电阻流走了，LD二端想产生高压都难，你想想，10K电阻的二端，如果有10V电压，就会流过1mA的电流，静电放电的电流要持续达到1mA，几乎是不可能的，即使有持续的1mA电流，也只不过有10V电压，不会击穿LD。这就是我设计这个方案时所思考的。

现在，在其它的低成本抗静电方案中，我偶尔还会使用这个方案。

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