在开关电源应用MOS管的时候,在很多电源设计人员的都将采用一套公式,质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。 在开关电源应用MOS管的时候,在很多电源设计人员的都将采用一套公式,质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。
那么栅极电荷和导通阻抗很重要,这都是对电源的效率有直接的影响,主要是传导损耗和开关损耗。 ![]()
还有在电源中第二重要的是MOS管参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。 ![]()
用于针对N+1冗余拓扑的并行电源控制的MOS管在ORing FET应用中,ORing FET应用设计人员显然必需关注MOS管的不同特性,比如,在电源设计中,每个电源常常需求多个ORing MOS管并行工作,需(找元器件现货上唯样商城)求多个器件来把电传播送给负载。在许多状况下,设计人员必需并联MOS管,以有效降低RDS(ON)。在 DC 电路中,并联电阻性负载的等效阻抗小于每个负载单独的阻抗值。比方,两个并联的2Ω 电阻相当于一个1Ω的电阻 。因而,普通来说,一个低RDS(ON) 值的MOS管,具备大额定电流,就能够让设计人员把电源中所用MOS管的数目减至少。
|