stm32单片机存储擦除问题

发表于 2023-7-21 11:44

之前用的stm32f1系列单片机，写数据时是按页擦除的，后来跟换stm32f407后发现写数据的时候会占用单片机很长时间，后来发现这款单片机是按扇区来擦除的，请问下这个擦除方式跟什么有关啊，后面设计的时候如何判定一款芯片的擦除方式？

发表于 2023-7-21 17:15

STM32F40X相比STM32F1系列的片内flash擦除稍微有点差异。

F1系列基于页擦除，在1颗芯片里其空间大小固定，或者1K 或者2k。

而F40X基于扇区擦除，扇区容量较大，而且同一芯片里的不同扇区

对应的容量还不一样，对应的擦除时间也不一样。

比方16K扇区的典型擦除时间为230ms，32K扇区的典型擦除时间是490ms,64K扇区的

典型擦除时间为875ms。128k扇区的典型擦除时间达1.3s.这些参数在芯片数据手册里

都有明确描述。

至于不同扇区的大小在芯片参考手册里也有明确描述。在Flash module

organization有清晰介绍。

至于擦除方式，没有什么好担心的。用什么系列就使用什么擦除方式，比方你现在使

用F407就使用扇区擦除作为基本擦除方式。不过要提醒的是，如果使用双BANK模式的

话，在给扇区别编号时别给错了。在前面提到的Flash module organization 章节也有介绍。

发表于 2023-8-16 21:48

擦除方式的不同，估计跟flash的设计也不一样吧

发表于 2023-8-16 23:23

按页擦除的话会不会影响存储寿命啊？

发表于 2023-8-16 23:42

有些是支持扇区擦除的，有些只能按页擦除

发表于 2023-8-17 01:22

可能就是擦除的模式，就按页擦除可能对存储能好点？

发表于 2023-8-17 03:45

擦除方式无所谓啊，看你的数据结构，还有就是你想要怎么擦除，比如数据大小就每个1K，就可以按页擦除吧

发表于 2023-8-17 05:07

具体还真没了解过，之前都是用外置的存储，用按页擦除的方式

发表于 2023-8-17 07:11

其实如果程序不是很大，用内部的存储当数据存储也可以，但是程序稍微大点，不建议用内部存储，频繁读写容易出问题

发表于 2023-8-17 11:12

属实有些差异的，可能是因为F1是比较老的芯片了吧，擦除方式就比较简单了

发表于 2023-8-17 13:44

如何判断用啥擦除方式，其实可以看手册的啊

发表于 2023-8-17 16:21

主要还是通过看官方提供的demo，一般都写得很全，可以参考的

发表于 2023-8-17 18:21

擦除方式不知道跟啥有关系，不过肯定都能支持页擦除，但是扇区这种擦除有些属实是不支持的

发表于 2023-8-17 23:45

内部存储用久了会影响寿命吧

发表于 2023-8-19 21:46

擦除方式变了吧

发表于 2023-8-23 21:57

Jacquetry 发表于 2023-8-17 23:45
内部存储用久了会影响寿命吧

这点寿命算什么啊

发表于 2023-8-24 20:22

跟flash的设计不一样

发表于 2023-8-26 09:29

擦除时间和flash有关系

发表于 2023-8-28 13:43

好像是，擦除会按照扇区擦除。

发表于 2023-8-28 13:43

这种按照扇区擦除的芯片，存储数据方式是很重要的。

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