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GD32E230F4 内部flash可以擦除，不能写入

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楼主
mmh123123|  楼主 | 2023-7-25 09:42 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
使用GD32E230F4P6TR测试内部flash读写，可以擦除，无法写入，没有进行写保护，可能是什么原因造成的呢

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沙发
qsl200100| | 2023-8-25 09:46 | 只看该作者
注意是字写入，或者双字写入，写入的开始地址也需要是字的倍数，如果是半字写则需要写两次。

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板凳
Bowclad| | 2023-9-5 23:50 | 只看该作者
是马上写入就会失败吗？

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地板
Undshing| | 2023-9-27 22:31 | 只看该作者
是不写入格式的问题啊

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5楼
AloneKaven| | 2023-9-29 22:50 | 只看该作者
为什么半字要写两次啊？

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6楼
cr315| | 2024-2-7 16:53 | 只看该作者
检查您写入的数据是否正确，以及是否满足Flash写入的要求

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7楼
两只袜子| | 2024-2-7 16:53 | 只看该作者
检查Flash操作的总线时钟配置

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8楼
elephant00| | 2024-2-7 16:53 | 只看该作者
示波器监视Flash操作期间的总线信号和微控制器的状态。

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9楼
jcky001| | 2024-2-7 16:54 | 只看该作者
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