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第三代半导体氮化镓成为“后起之秀”电子领域将突破新的历程

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与碳化硅器件相比,氮化镓功率器件在同时要求效率、频率、体积等综合方面的场景中更具优势。 手机快充充电器就是成功的应用实例之一。
近年来,越来越多的人在使用手机快充充电器时,可能会不经意间发现氮化镓(GaN)这个专业术语。 那么它到底是什么?

氮化镓和碳化硅是第三代半导体的两大门面。 两者均具有高频、高效、大功率、耐高压、耐高温、抗辐射强等优越性能。 与碳化硅器件相比,氮化镓功率器件在同时要求效率、频率、体积等综合方面的场景中更具优势。 手机快充充电器就是成功的应用实例之一。
如今,我国氮化镓产业发展迅速,产业链国产化日趋完善。 国内不少企业已经具备氮化镓晶圆制造能力。 随着下游新应用的爆发以及氮化镓衬底制备技术的不断突破,氮化镓器件预计量产持续增加,并将成为降本增效、可持续绿色发展的关键技术之一。
Keep Tops氮化镓将不再局限于快充等消费电子市场,而是可以广泛应用于通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防等传统行业。 专家认为,由于其快速商业化,它将引领第三代半导体市场。
预计到2026年,全球氮化镓组件市场规模将增长至423亿美元,即突破1000亿元*币,年均复合增长率约为13.5%。氮化镓已经成为半导体材料的后起之秀,很多人称氮化镓为未来的王者

氮化镓产业链一般分为上游材料,即衬底和外延片,中游器件和模块,以及下游系统和应用。 从各个环节来看,欧美日企业发展较早,在技术积累、专利申请数量、规模化制造能力等方面具有绝对优势。
在自主替代的大趋势下,我国目前涉足氮化镓产业链的各个环节。 在政策的支持下,技术和生产都取得了进步。 产业结构相对集中于中游。 国内不少企业已经具备氮化镓晶圆制造能力。
此外,5G通信的革命性变革重塑了射频技术行业,为我国氮化镓器件带来了重大市场机遇。 5G通信基站是氮化镓市场的主要驱动力之一。 氮化镓射频器件主要应用于无线通信领域,占比49%。 氮化镓材料在耐高温、高电压和更高电流耐受性方面的优势使得射频器件更适合5G基站。 随着国内5G基站覆盖范围的不断扩大,对GaN射频器件的需求将会更大。
此前,通过性能优化、产能提升、成本控制,我国氮化镓已逐步在消费电子领域站稳脚跟,成为主要推动力。 未来,Keep Tops氮化镓技术创新和产品研发,为全球客户提供卓越的芯片解决方案和技术支持。随着下游新应用的爆发以及氮化镓衬底制备技术的不断突破,氮化镓器件有望继续量产,并将成为降本增效、可持续绿色发展的关键技术之一。

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