①、执行 FLASH 擦除和写操作时，有哪些注意事项? 1. 进行闪存编程操作时（写或擦除），必须打开内部的 RC 振荡器（HSI）；
2. Flash 写操作仅支持 32 位操作，写操作之前需要先擦写 Flash；
3. Flash 写操作需要地址字对齐，且地址范围不能超出芯片内存；
4. 以防因电气干扰等原因产生对 Flash 的意外操作，对 Flash 的操作应按照解锁→操作→上锁顺序执行。
②Flash 的操作时长?
1. Flash 支持字编程、页擦除和整片擦除，Flash 字编程时间约 175us，页（512 字节）擦除时间约 2.27ms，整片擦除时间 34.1ms（详情参考数据手册）；
2. 读 Flash 的等待周期数可以通过寄存器配置，使用时需要结合 SYSCLK 时钟频率进行计算。
比如：当SYSCLK <=18MHz 时，等待周期数最小为 0；当 18MHz< SYSCLK <=36MHz 时，等待周期数最小为 1；
当36MHz< SYSCLK <=48MHz 时， 等待周期数最小为 2。
|
楼主
标题置顶
标题高亮
