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KT65C1R200D是一款采用DFN8x8封装的650V（200mΩ）氮化镓（GaN）。它是一款常关器件，将KeepTops最新的高压GaN HEMT与低压硅MOSFET相结合，提供卓越的可靠性和性能。应用于快速充电器、通讯电源、数据中心、灯光等领域。
注：其他封装方式（220，252）后续陆续推出
产品封装如图所示：
产品特点： 1、符合JEDEC标准的GaN技术 2、动态RDS（on）off生产测试 3、宽门安全裕度 4、具有反向导通能力 5、低栅极电荷 6、符合RoHS标准且无卤素包装 7、提高硬开关和软开关电路的效率（增加功率密度、减小系统尺寸和重量、整体系统成本较低） 8、使用的蹦极驱动器即可轻松驱动
产品优势： 工艺简单、可靠性高，良率高，有着极高的开关频率，极低的栅极电荷、输出电荷，保证了高频开关需求的同时，有效降低了系统能耗以及开关能耗。该产品Vgs耐压±20V，动态电阻小<1.1，驱动兼容传统Si MOS。 开关时间测试电路如图所示
瞬态热阻如图所示
电气典型输出特性（TC=25℃）如图所示
应用场景： 1、新型电子器件 GaN材料具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。 2、 光电器件 GaN材料是一种理想的短波长发光器件材料，GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。 | 
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