先进封装较传统封装，提升了芯片产品的集成密度和互联速度，降低了设计门槛，优化了功能搭配的灵活性。例如倒装将芯片与衬底互联，缩短了互联长度，实现了芯片性能增强和散热、可靠性的改善。
半导体器件有许多封装形式，按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装三类。从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技术指标一代比一代先进。
半导体产品在由二维向三维发展，从技术发展方向半导体产品出现了系统级封装（SiP）等新的封装方式，从技术实现方法出现了倒装（FlipChip），凸块（Bumping），晶圆级封装（Waferlevelpackage），2.5D封装（interposer，RDL等），3D封装（TSV）等先进封装技术。
传统封装vs先进封装
传统封装概念从最初的三极管直插时期后开始产生。传统封装过程如下：将晶圆切割为晶粒（Die）后，使晶粒贴合到相应的基板架的小岛（LeadframePad）上，再利用导线将晶片的接合焊盘与基板的引脚相连（WireBond），实现电气连接，最后用外壳加以保护（Mold，或Encapsulation）。典型封装方式有DIP、SOP、TSOP、QFP等。先进封装主要是指倒装（FlipChip），凸块（Bumping），晶圆级封装（Waferlevelpackage），2.5D封装（interposer，RDL等），3D封装（TSV）等封装技术。先进封装在诞生之初只有WLP，2.5D封装和3D封装几种选择，近年来，先进封装的发展呈爆炸式向各个方向发展，而每个开发相关技术的公司都将自己的技术独立命名注册商标，如台积电的InFO、CoWoS，日月光的FoCoS，Amkor的SLIM、SWIFT等。尽管很多先进封装技术只有微小的区别，大量的新名词和商标被注册，导致行业中出现大量的不同种类的先进封装，而其诞生通常是由客制化产品的驱动。
先进封装优势
先进封装提高加工效率，提高设计效率，减少设计成本。先进封装主要包括倒装类（FlipChip,Bumping），晶圆级封装（WLCSP，FOWLP，PLP），2.5D封装（Interposer）和3D封装（TSV）等。以晶圆级封装为例，产品生产以圆片形式批量生产，可以利用现有的晶圆制备设备，封装设计可以与芯片设计一次进行。这将缩短设计和生产周期，降低成本。先进封装提高封装效率，降低产品成本。随着后摩尔定律时代的到来，传统封装已经不再能满足需求。传统封装的封装效率（裸芯面积/基板面积）较低，存在很大改良的空间。芯片制程受限的情况下，改进封装便是另一条出路。举例来说，QFP封装效率最高为30%，那么70%的面积将被浪费。DIP、BGA浪费的面积会更多。先进封装以更高效率、更低成本、更好性能为驱动。先进封装技术于上世纪90年代出现，通过以点带线的方式实现电气互联，实现更高密度的集成，大大减小了对面积的浪费。SiP技术及PoP技术奠定了先进封装时代的开局，2D集成技术，如WaferLevelPackaging（WLP，晶圆级封装），Flip-Chip（倒晶），以及3D封装技术，ThroughSiliconVia（硅通孔，TSV）等技术的出现进一步缩小芯片间的连接距离，提高元器件的反应速度，未来将
先进封装技术
先进封装是指前沿的倒装芯片封装（FC，Flip chip）、晶圆级封装（WLP，Wafer level packaging）、系统级封装（SiP，System In a Package）和2.5D、3D封装等，作为提高连接密度、提高系统集成度与小型化的重要方法，在单芯片向更高端制程推进难度大增时，担负起延续摩尔定律的重任。先进封装使用晶体管的前道制造方式，制作后道连接电路，故先进封装的工艺流程与前道相似，所需设备类别也大体相同，只在关键尺寸与精度上同前道有区别。使用圆片级封装时，涂胶显影设备所需尺寸与前道相同，主要为8/12寸涂胶显影设备。
先进封装与传统封装以是否焊线来区分，先进封装主要有倒装芯片(FC)结构的封装、晶圆级封装(WLP)、2.5D封装、3D封装等。分为两个方向：（1）小型化：3D封装突破传统的平面封装的概念，通过单个封装体内多次堆叠，实现了存储容量的倍增，进而提高芯片面积与封装面积的比值。（2）高集成：系统级封装SiP能将数字和非数字功能、硅和非硅材料、CMOS和非CMOS电路以及光电、MEMS、生物芯片等器件集成在一个封装内，在不单纯依赖半导体工艺缩小的情况下，提高集成度，以实现终端电子产品的轻薄短小、低功耗等功能，同时降低厂商成本。
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