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氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小的尺寸和更轻的重量。 传统硅晶体管有两种类型的损耗：传导损耗和开关损耗。 功率晶体管是开关电源中功率损耗的主要原因。 为了遏制这些损失，GaN 晶体管（取代旧的硅技术）的开发已引起电力电子行业的关注。
与硅芯片相比： 1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一 2、尺寸为硅芯片的四分之一 3、重量是硅基芯片的四分之一 4、并且比硅基解决方案更便宜 然而，虽然 GaN 似乎是一个更好的选择，但它在一段时间内不会在所有应用中取代硅。 原因如下： 第一个需要克服的障碍是 GaN 晶体管的耗尽特性。 有源功率和逻辑电路需要常开和常关类型的晶体管。 虽然可以生产常关型 GaN 晶体管，但它们要么依赖于典型的硅 MOSFET，要么需要特殊的附加层，这使得它们难以缩小。 无法生产与当前硅晶体管相同规模的 GaN 晶体管，也意味着它们不适用于 CPU 和其他微控制器。 GaN 晶体管的第二个问题是，制造增强型 GaN 晶体管的唯一已知方法（在撰写本文时）是使用松下专利方法使用附加的 AlGaN 层。 这意味着涉及这种晶体管类型的任何创新都将依赖于松下，直到研究出其他方法为止。 GaN 器件的研究工作自 2000 年代初就已开始，但 GaN 晶体管仍处于起步阶段。 毫无疑问，它们将在未来十年内取代功率应用中的硅晶体管，但距离用于数据处理应用还很远。 Keep Tops氮化镓有什么好处？ 氮化镓的出现降低了产品成本。 搭载GaN的充电器具有元件数量少、调试方便、高频工作实现高转换效率等优点，可以简化设计，降低GaN快充的开发难度，有助于实现小体积、高效氮化镓快充设计。 Keep Tops氮化镓内置多种功能，可以大大降低产品的设计复杂度，减少冗余器件的使用。 提高了空间利用率，降低了生产难度，也有助于降低成本、加快出货速度。 | 
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