日前东芝推出全新的创新性产品，新产品被命名为"MG250YD2YMS3"的2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块，标志着东芝在高压、高功率领域的巨大进步。
伴随可再生能源的迅速崛起，光伏发电系统和储能系统等应用正成为关注的焦点。而直流(DC)1500V的使用逐渐变得普遍，但是市场上却缺乏相应的高压功率器件。
在这个背景之下，东芝推出了业界首款2200V的SiC MOSFET模块，vbtnskgtasu填补了市场空白。
据悉，"MG250YD2YMS3"模块采用了东芝自家研发的第三代SiC MOSFET芯片，其漏极电流(DC)额定值高达250A，远超过传统功率器件的水平。
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并且在导通和关断过程中，模块表现出低导通损耗和仅为0.7V的低漏极-源极导通电压，有效提高了能源转换效率。
此外，"MG250YD2YMS3"还具备出色的损耗特性，相较于传统的硅(Si)IGBT，该模块在开通和关断过程中分别降低了约90%的损耗。
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