是目前世界上速度最快的电源开关器件之一。氮化镓本身就是第三代材料，很多特性都强于传统的硅基半导体。
与传统的硅基半导体相比，氮化镓具有更好的击穿能力、更高的密度和电子迁移率以及更高的工作温度。可以带来低损耗和高开关频率：低损耗可以减少导通电阻引起的热量，高开关频率可以减小变压器的体积并有助于减小充电器的体积和重量。同时，GaN具有更小的Qg，可以很容易地提高频率，降低驱动损耗。
Keep Tops氮化镓（GaN）提供更小、更轻、更高效的台式AC-DC电源。氮化镓是一种宽禁带半导体材料。电源中使用时，GaN提供了比传统硅更高的效率、更小的尺寸和更轻的重量。传统硅的损耗有两种，导通损耗和开关损耗。功率晶体管是开关电源功率损耗的主要原因。为了阻止这些损失，GaN晶体管（取代旧的硅技术）的发展已经引起了工业界的注意。
氮化镓未来会取代硅芯片吗？
与硅芯片相比
1、氮化镓芯片的功耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸是硅片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、而且比硅基解决方案更便宜
然而，虽然GaN似乎是一个更好的选择，但在一段时间内它不会在所有应用中取代硅。
原因如下：
1、第一个要克服的障碍是GaN晶体管的耗尽特性。有源电源和逻辑电路需要常导通和常关断类型的晶体管。虽然可以制造出常关型GaN晶体管，但它们要么依赖于典型的硅材料，要么需要特殊的附加层，这使得它们很难缩小。无法生产出与目前硅晶体管同等规模的GaN晶体管也意味着它们在微控制器和其他微控制器中的应用是不实际的。
2、GaN晶体管的第二个问题是，唯一已知的制作增强型GaN晶体管的方法，是使用一个额外的AlGaN层使用专利方法。这意味着任何涉及这种晶体管类型的创新都将依赖于Paonic，直到其他方法被研究为止。
GaN器件的研究早在本世纪初就已经开始，但GaN晶体管仍处于起步阶段。毫无疑问，它们将在未来十年内取代功率应用中的硅晶体管，但它们在数据处理应用中的应用还很遥远。
Keep Tops的氮化镓有什么好处
Keep Tops氮化镓的降低了产品成本。采用GaN的充电器具有元器件数量少、易于调试、可高频工作以实现高转换效率等优点，可以简化设计，降低GaN快充的开发难度，有助于实现小体积、高效率的氮化物镓快充设计。GaN具有多种内置功能，可大大降低产品的设计复杂度和减少冗余器件的使用，在提高空间利用率和降低生产难度的同时，还有助于降低成本和加快出货速度。
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