本帖最后由 Litthins 于 2023-9-28 16:15 编辑
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写给对理想二极管感兴趣的朋友,以期对大家有所帮助。
理想二极管作为常见的电路保护元件,兼具电源极性保护、过流保护、短路保护与过温保护功能,常见SOT23、SOT23-6等超小封装,成本低、性价比高,在嵌入式领域应用广泛。本文从肖特基二极管电源极性保护电路入手,逐步扩展至理想二极管,对比说明理想二极管的优点,并给出三个典型用例。
一、肖特基二极管电源极性保护 电源极性保护也称反接保护,最常见形式是串联肖特基二极管。电源反接时,二极管截止,阻止电流反向通过系统,实现保护电路目的。该方案中,肖特基不可避免地引入了0.4V左右的正向导通压降,在部分使用电池供电的场合,会减小电池电压的利用范围,导致设备续航时间缩短,如下图左侧。
正向导通压降的存在,使肖特基的功率耗散随系统拉取电流的增大而增加,必要时需额外考虑散热。由于肖特基不提供过流与短路保护,部分电路中会使用PTC自恢复保险,如上图右侧。要注意PTC动作需经历升温过程,所以保护动作较慢,常在数百毫秒至秒级,而且成本较高,因而在部分应用中存在局限。
二、MOSFET电源极性保护
提高电池利用率、延长设备续航时间,都可以从减小压降入手。使用MOS代替肖特基二极管的方案,就利用了MOS管低导通电阻Ron的特性。常见电路形态有PMOS和NMOS两种,如下图。
以PMOS为例,电源接通后,寄生二极管临时提供电流通路,源极电压升高,使栅源压差达到阈值,PMOS导通完成上电。导通电阻较低的MOS管,通过百毫安电流时,压降可低至数十毫伏,优势明显。即使通过1A以上的电流,功率耗散也明显低于肖特基。使用MOS做电源极性防护时,常添加分压电阻和稳压管等元件控制栅源电压。
三、理想二极管保护电路 实际应用中,电源极性保护与过流保护、短路保护、过温保护等需求常组合出现,在MOS基础上构建的理想二极管应运而生。由于继承了MOS的特性,理想二极管的导通压降与反向漏电流都很小,有助于提升系统效率。
一两毛钱的极低成本,集成多种保护功能,使理想二极管在许多场景中成为替代肖特基和MOS的高集成度、高性价比的解决方案。以CH213为例,其内部功能集成在SOT23等超小封装中,无需外部元件。
一般而言,理想二极管在回路中增加电流检测实现过流保护;同时监测输入与输出电压,若输出电压高于输入端,触发电源极性保护;若输出电压被拉低至接近参考阈值,则触发短路保护;同时内置温度传感器,提供过温保护,并通过迟滞机制在温度正常后退出保护状态。
理想二极管与肖特基二极管的特性对比
四、理想二极管的典型应用
理想二极管体积小、成本低、常置于电源与下游系统之间,在3.3V或5V应用中提供电源极性保护、过流保护、短路保护与过温保护是其典型应用场景。
理想二极管也用于需要防止电流倒灌的场合。如下图,CH213K在USB HUB总线供电与自供电切换时,防止电流从外部电源向USB端口倒灌。
部分嵌入式系统支持外部供电,同时也自带电池或备用电源,理想二极管除提供保护功能外,也可在此类系统上实现电源的自动切换。例如,SOT23-6小封装的CH213B单芯片集成两个理想二极管,可从外部电源与内部电池中自动选择电压较高的一侧接入系统。
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一问了解理想二极管的使用方案,作者尽量以更短的篇幅阐明理想二极管的各种电路,文章结构清晰,配图合理,排版舒适,继续加油!