本帖最后由 深圳美思星凌霄 于 2023-9-20 09:40 编辑
一、SiC与硅相比，具备哪些优势（详见配图）
• SIC击穿场强是SI的10倍，SIC器件的漂移区更薄、掺杂浓度更高，可以显著降低导通电阻，降低器件应用的导通损耗；
• SIC禁带宽度是SI的3倍，本证载流子浓度低，有更高的工作结温；
• 同时热传导是SI的3倍，降低系统散热要求，可以减小电源体积和重量；
二、SiC市场规模的趋势变化
（详见配图）
• SIC功率器件2022年市场规模13.54亿美元，预计2027年将增长到67.89亿美元，年复合增长率33.5%；
• 75%应用为新能源汽车，10%为工业领域，7.3%为能源领域；
三、SiC JBS/MPS技术
1.肖特基二极管
SBD优点：解决Si SBD耐压问题；反向恢复特性好；正向温度特性好；SBD缺点：漏电流大
2.结势垒肖特基二极管
JBS优点：继承SBD优点；引入梳状P区降低电场
JBS缺点：抗浪涌能力偏弱
3.混合PN结势垒肖特基二极管
MPS优点：引入非均匀P区增强IFSM；引入欧姆接触增强IFSM；
MPS缺点：正向导通电压偏大
4.（衬底）减薄MPS
Thin MPS优点：衬底减薄，170um；激光退火；对650V器件改善大；降低衬底电阻
5.更低的导通电压
Lower VF优点：电场优化设计；更低的漂移区掺杂；降低VF值
Lower VF缺点：漏电流增加
四、华润微SIC JBS产品对比
1、CRM 1200V G2:电流密度最大，芯片面积最小；浪涌能力、电流密度trade-off均优于其他产品；
2、Rsp最小，Rsp、漏电流密度trade-off均优于其他产品；
3、CRM 650VG2:电流密度与I公司C5/W公司C6一致，且单位面积浪涌能力接近I公司C5;
4、Rsp和W公司C6一致，略优于I公司C5;
五、华润微产品列举
650V SiC SBD
4A
CRXI04D065G2
CRXL04D065G2
CRXD04D065G2
CRXS04D065G2
CRXB04D065G2
CRXM04D065G2
6A
CRXI06D065G2
CRXL06D065G2
CRXD06D065G2
CRXS06D065G2
CRXB06D065G2
CRXM06D065G2
8A
CRXI08D065G2 CRXF08D065G2
CRXL08D065G2
CRXD08D065G2
CRXS08D065G2
CRXB08D065G2
10A
CRXI10D065G2 CRXF10D065G2
CRXU10D065G2
CRXL10D065G2
CRXD10D065G2
CRXS10D065G2
CRXB10D065G2
12A
CRXI12D065G2 CRXF12D065G2
CRXU12D065G2
CRXB12D065G2
16A
CRXI16D065G2
CRXQ16D065G2 CRXU16D065G2
CRXB16D065G2
20A
CRXI20D065G2
CRXQ20D065G2 CRXU20D065G2
CRXB20D065G2
30A
CRXI30D065G2
CRXU30D065G2
CRXB30D065G2
32A
CRXQ32D065G2
1200V SiC SBD
2A
CRXI02D120G2
CRXL02D120G2
3A
CRXI03D120G2
CRXL03D120G2
5A
CRXI05D120G2
CRXL05D120G2
10A
CRXI10D120G2
CRXQ10D120G2 CRXU10D120G2 CRXL10D120G2
15A
CRXI15D120G2
CRXU15D120G2
20A
CRXI20D120G2
CRXQ20D120G2 CRXU20D120G2
30A
CRXI30D120G2
CRXQ30D120G2 CRXU30D120G2
40A
CRXI40D120G2
CRXQ40D120G2 CRXU40D120G2
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