Gate Driver 低边电源 VCC_DRIVER 和欠压锁定（UVLO）
VCC_DRIVER 为低边电路电源供应端，能为输入逻辑电路和低边输出功率级工作提供所需的驱动能
量。内置的欠压锁定电路能保证芯片工作在足够高的电源电压范围，进而防止由于低驱动电压所产生
的热耗散对 MOSFET/IGBT 造成损害。如下图所示，当 VCC 上升并超过阈值 VCCUV+ =4.2V 后，低
边控制电路解锁并开始工作，LO 开始输出；反之，VCC 下降并低于阈值电压 VCCUV- =3.8 V 后，低
边电路锁定，芯片停止工作，LO 停止输出。VCC 工作电压范围建议为 10V~18V。
高边电源 VBS (VB1-VS1, VB2-VS2, VB3-VS3) 和欠压锁定（UVLO）
VBS 电源为高边电路供电电源，其中 VBS1(VB1-VS1), VBS2(VB2-VS2)和 VBS3(VB3-VS3) 分别对应
相 1，相 2 和相 3 高边驱动电源。由浮动电源 VBS 供电的整体高边电路以地 VSS_DRIVER 为参考点，
并跟随外部功率管 MOSFET/IGBT 的源/发射极电压，在地线-母线电压之间摆动。由于高边电路具有低
静态电流消耗，因此整个高边电路可以由与 VCC_DRIVER 连接的自举电路技术供电，并且只需一个
较小的电容就能维持驱动功率管所需电压。如下图所示，高边电源 VBS 的欠压锁定类似于低边
VCC_DRIVER 电源，VBS 工作电压范围建议在 10V~18V。
低边和高边逻辑输入控制: HIN&LIN (HIN1,2,3/LIN1,2,3)
为了更好兼容各类控制器，该芯片特别地将 6 个输入施密特反相器的阈值调整到最低可以兼容 3.3V
的 LSTTL 和 CMOS 逻辑电平。内置施密特反相器和先进脉冲滤波器更加有效地屏蔽非正常的输入短
脉冲信号，大幅提升系统的对干扰免疫力和可靠性。每个逻辑输入端在芯片内部都预置 100KΩ 的下
拉电阻，保证在焊接（虚焊）和输入非有效连接等异常情况下能提供关断功率管控制讯号。输入脉冲
宽度尽量不低于 300ns，以保证正确的输入和输出关系。.
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