[通用8051核FLASH系列] HC89F0332/0322/0312的注意事项

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 楼主| jf101 发表于 2023-9-20 13:31 | 显示全部楼层 |阅读模式
1、介绍HC89F0332/0322/0312 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机,内部有8K Bytes FLASH 程序存储器,256Bytes IRAM+768Bytes XRAM,最多 18 个双向 I/O 口,1 个外设功能引脚全映射模块 PTM,5 个 16 位定时器/计数器,3 组 12 位带死区控制互补 PWM,1 路 8 位 PWM,1 个 UART,1 个 SPI,16 个外部中断,16+2 路 12 位 ADC,1 个低压检测模块,四种系统工作模式和 15 个中断源。
2、注意事项

1. 为保证系统的稳定性,必须在VDD和GND之间接一电容(容值须大于或等于0.1μF)。
2. P2.7 引脚出厂时默认为复位管脚,端口模式为施密特输入带上拉,可以通过配置代码选项将此口配置为普通 IO 引脚。
3. 如果需要进行 FLASH IAP 操作,请仔细阅读 3.1.4.1 的注意事项。
4. 在进行 IAP 操作时,不响应任何中断。
5. ADCEN 置 1 或切换转换通道后,建议延时 20us 后再启动 ADC 转换,如果外部输入阻抗很大时,需要延长这个时间。
6. 当 ADC 的参考电压为 VDD 时,ADC 转换时钟可以为 8MHz,一次转换只需要 15 个 ADC_CLK,这样可以得到最快的 ADC 转换速度。
7. 通过配置 LCD 的寄存器可以使多个 PORT 同时输出 PWM。
8. 使用 PWM3 时,要先配置时钟分频、周期、占空比等寄存器,最后再使能 PWM3 模块。
9. 在LVD中断中,若要关闭比较器或LVD中断,应先禁止 LVD/比较器,再失能LVD中断允许位。


johnny66620 发表于 2023-9-21 15:49 | 显示全部楼层
这是好文章,不错的文章,很棒,很棒的。
lajfda001 发表于 2023-9-21 15:57 | 显示全部楼层
感谢楼主的分享,很好的文章。
kjkujkj22 发表于 2023-9-21 16:11 | 显示全部楼层
感谢楼主的分享,很好的知识。
jflahdink09 发表于 2023-9-21 16:13 | 显示全部楼层
johnny66620 发表于 2023-9-21 15:49
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是的
tpgf 发表于 2023-10-12 09:19 | 显示全部楼层
现在所有新出的单片机是不是都具有低功耗的特点呢
qcliu 发表于 2023-10-12 10:12 | 显示全部楼层
除了CMOS 工艺设计开发的单片机 还有其他工艺设计开发的单片机吗
coshi 发表于 2023-10-12 10:30 | 显示全部楼层
CMOS工艺也细分很多种,不同代工厂的CMOS工艺不完全一样
wiba 发表于 2023-10-12 10:58 | 显示全部楼层
在进行 IAP 操作时,需要把中断使能关闭吗
kxsi 发表于 2023-10-12 21:21 | 显示全部楼层
在VDD和GND之间连接的电容的容值有范围要求吗
drer 发表于 2023-10-12 21:59 | 显示全部楼层
CMOS工艺具有功耗低、速度快、抗干扰能力强、集成度高等优点,目前已成为当前大规模集成电路的主流工艺技术
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