20PIN，超高速32位总线1T 8051内核Flash MCU，512B SRAM，8KB Flash，128B独立EEPROM，12位ADC，3路8+2位PWM，3个定时器，UART，SPI，PGA
工作电压: 2.4V~5.5V 工作温度: -40 ~ 85℃ 封装: TSSOP20L 内核: 超快速的32位总线1T 8051 Flash ROM: 8KB Flash ROM (MOVC禁止寻址0000H~00FFH) 可重复写入1万次；可选8KB范围内IAP 模式，实现远程上网程序更新。 EEPROM：独立的128Byte，可重复写入10万次； SRAM：512Byte SRAM
系统时钟: 内建高频 24MHz 振荡器 l IC工作的系统时钟,可通过编程器选择设定为24MHz(3.7-5.5V)、12/6/2MHz (2.4-5.5V) l 频率误差: 跨越 (2.4V~5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 应用环境, 不超过 ±1%。 l 内置晶体振荡器电路，可外接2~16MHz振荡器。 l 振荡器侦测电路，当发现外部振荡器停振后自动切到内部高频HRC振荡器，直至下次复位时再重置
内建低频 128kHz LRC 振荡器 l 频率误差: 跨越 (2.4V ~ 5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 应用环境,频率误差不超过±3% 内建2kHz 振荡器
l 用作WDT的CLK Source
低电压复位(LVR):
l 复位电压有2级可选：分别是3.7V、2.3V l 缺省值为用户烧写Code Option所选值
Flash烧写和仿真:
l 2线JTAG烧写和仿真接口
中断(INT):
l Timer0, Timer1, Timer2, INT0~1, ADC，PWM，UART，SPI，Base Timer 共10 个中断源 l 外部中断有2个中断向量，全部可设上升沿、下降沿、双沿中断 l 两级中断优先级可设
数字外围：
l 18个双向可独立控制的 I/O口，可独立设定上拉电阻 l 全部IO具有大灌电流驱动能力(70mA) l 11位WDT，可选时钟分频比 l 3个标准 80C51 定时器Timer0、Timer1和Timer2 l Timer2可实现Capture功能及输出16位PWM l 3路共用周期、单独可调占空比的 8+2位PWM，分别可切换至不同管脚输出(共6个输出) l 5个IO可作为1/2 BIAS的LCD COM输出 l 1路UART l 1路SPI
模拟外围：
l 1个可调增益运算放大器PGA n 输出可直接接ADC输入 n 正负输入端可互换 n 增益两级可选： 20X、100X n 可软件调零 l 10路12位±2LSB ADC n 内建基准的 2.4V 参考电压 n ADC的参考电压有2种选择, 分别是 VDD和内部2.4V n 内部一路ADC可直接测量VDD电压 n 可设ADC转换完成中断
省电模式：
l IDLE Mode，可由任何中断唤醒 l STOP Mode，可由 INT0~1和BaseTimer唤醒
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