灵动MCU的闪存编程方式简述

只看该作者 · 2023-9-25 19:00

灵动MCU的嵌入式闪存支持如下三种编程方式。

烧写和擦除操作在整个产品工作电压范围内都可以完成，在对 Flash 空间做写操作或擦除操作时，内
部振荡器（HSI）必须处于开启状态，还需确保 AHB 时钟大于等于 8MHz。
只要 CPU 不去访问 Flash 空间，进行中的 Flash 写操作不会妨碍 CPU 的运行（从 RAM 或 ISP
中运行）。在对 Flash 进行写操作或擦除操作时，对 Flash 的读访问都会遇到总线停顿，直到写操作或擦
除操作完成后才会继续执行，因此在写操作或擦除 Flash 时，不可以对它取指和访问数据。
闪存的编程操作由一系列的动作组合而成，主要包括：
 对 Flash 操作的解锁与保护
 对 Flash 擦除（页擦除与整片擦除）
 对 Flash 编程（半字编程）
 对信息块中各空间（如选项字节）操作的解锁与保护
 对信息块中各空间（如选项字节）擦除
 对信息块中各空间（如选项字节）编程（半字编程）
ISP、IAP 方式编程流程

灵动MCU整体闪存过程就是这样的，涉及细节的部分可以结合具体的方式进行操作，如对闪存块的保护解除和使能等。