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永源微AP6G03S、30V/N+P沟道MOSFET

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描述:
AP6G03S采用先进的沟道技术,提供出色的
RDS(ON)、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压,
适合用作
电池保护或其它开关应用。
一般特征:
VDS=30伏内径=10安
RDS(ON)<25mω@VGS=10V
VDS =-30V ID =-7.6 A
RDS(ON)<-48mω@VGS= 10V


应用:
电池保护
负载开关
不间断电源


基本参数:
最小工作温度:-10℃
最大工作温度:130℃
最小电源电压:1.5V
最大电源电压:7.5V
长度:9.6mm
宽度:1.5mm
高度:1.8mm
漏源电压:+30V
栅源电压:20V
连续漏极电流,VGS @ 10V1
连续漏极电流,VGS @ 10V1
脉冲漏极电流:20
单脉冲雪崩能量:22
雪崩电流,21
储存温度范围,-55到150°
输入电容:VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz
封装:SOP-8 管装 最小包装3000一包
邱工:18028337418(微信同步)QQ:3101377292

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