使用ST-LINK Utility进行编程，勾选Full Flash Memory Checksum和设置读出保护后LSE不起振问题

只看该作者 · 2023-10-8 09:21

使用ST-LINK Utility对F105RB进行编程，在编程中勾选了Full Flash Memory Checksum，最后操作OP字节设置读出保护，发现LSE晶振不起振了，而没有勾选的全部正常（数量上百片，不会是硬件设计问题），请问有同行遇到这种情况吗？

同样的硬件，只要编程中不勾选Full Flash Memory Checksum，加读出保护，LSE正常。

只看该作者 · 2023-10-8 22:46

是不是硬件问题啊

只看该作者 · 2023-10-9 22:02

那就不勾选用呗

1万 · 2023-10-10 10:57

你可能设置的读出保护级别过高，导致ST-LINK Utility无法读取或更改存储器中的内容。在这种情况下，你可以尝试降低读出保护级别，或者在编程前取消读出保护。

1万 · 2023-10-10 10:57

LSE振荡器的配置可能不正确

只看该作者 · 2023-10-10 10:58

可能是硬件问题，比如振荡器模块没有正确连接，或者微控制器的电源连接有问题。

只看该作者 · 2023-10-10 12:24

不勾选和勾选的区别是什么啊

只看该作者 · 2023-10-18 08:47

可能是LSE振荡器的配置不正确