为确保顺利完成EEPROM 的SSP编程，用户软件必须按以下步骤设置：
(1) 用于代码/数据编程：
1. 关闭中断；
2. 根据地址设置 XPAGE，IB_OFFSET；
3. 按编程需要，设置 IB_DATA；
4. 按照顺序设置 IB_CON1 - 5；
5. 添加 4 个 NOP 指令；
6. 开始编程，CPU 将进入 IDLE 模式；烧写完成后自动退出 IDLE 模式；
7. 如需继续写入数据，跳转至第 2 步；
8. XPAGE 寄存器清 0，恢复中断设置。
(2) 用于扇区擦除：
1. 关闭中断；
2. 按相应的扇区设置 XPAGE；
3. 按照顺序设置 IB_CON1 - 5；
4. 添加 4 个 NOP 指令；
5. 开始擦除，CPU 将进入 IDLE 模式；擦除完成后自动退出 IDLE 模式；
6. 如需要继续擦除数据，跳转至第 2 步；
7. XPAGE 寄存器清 0，恢复中断设置。
(3) 读取：
使用“MOVC A,@A+DPTR”或者“MOVC A,@A+PC”指令。
(4) 对于类 EEPROM 区域
对于类 EEPROM 的操作类似于 Flash 的操作，即类似上述(1)/(2)/(3)部分的描述。区别在于：
1. 在对类 EEPROM 进行擦除、写或读之前，应首先将 FLASHCON 寄存器的最低位 FAC 位置 1。
2. 类 EEPROM 的扇区为 256 字节，而不是 1024 字节，类 EEPROM 大小为 2048 字节
注意：
1. 系统时钟不得低于 200kHz 以确保 FLASH 的正常编程
2. 当不需对类 EEPROM 操作时，必须将 FAC 位清 0
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