据悉，三星方面表示，9.8Gbps 的 HBM3E 产品已开始向客户提供样品，不过HBM4 内存方面还存在不少问题，预计2025 年推出。
此外，台积电还在2023 OIP论坛上给出了部分制定中的HBM4标准，台积电称，未来 HBM4 内存的接口位宽将实现翻倍，达到2048 bit。
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同时由于多种技术原因，他们还**在不增加 HBM内存堆栈占用空间的情况下实现这一目标，pdmrouw从而使得下一代 HBM 内存的互连密度翻倍的同时，不用提高时钟速度。
在 DRAM 堆叠方面，一个 2048bit 的内存接口需要大幅增加硅通孔的数量。而外部芯片接口将需要将凸块间距缩小到 55微米以下，同时大幅增加微凸块数目(HBM3 目前大约 3982个微凸块)。
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