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[数字电源]

英飞凌的单相串联逆变器 - 多电平拓扑

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LOVEEVER|  楼主 | 2023-10-22 11:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

优点如下:


在多电平逆变器中,H桥拓扑中的四个高压MOSFET/IGBT由数量更多的低电压
MOSFET取代。与传统的H桥逆变器相比,由低压MOSFET组成的多电平逆变器具
有以下优点:
› 较低的RDS(on)和开关损耗参数可显著降低导通和开关损耗
› 开关损耗减少,能提高有效输出频率(磁性更小)
› 降低开关电压,改善EMC
› 冷却系统尺寸和重量显著缩减




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