1待机模式
待机模式是基于 RISC-V 的 SLEEPDEEP 模式实现的。在待机模式下，整个 1.1V 域全部停止
供电，同时 LDO 和包括 IRC16M、HXTAL 和 PLL 也会被关闭。进入待机模式前，先将 RISCV 系统控制寄存器的 CSR_SLEEPVALUE 位置 1，再将 PMU_CTL0 寄存器的 STBMOD 位置
1，再清除 PMU_CS0 寄存器的 WUF 位，然后执行 WFI 或 WFE 指令，系统进入待机模式，
PMU_CS0 寄存器的 STBF 位状态表示 MCU 是否已进入待机模式。待机模式有四个唤醒源，
包括来自 NRST 引脚的外部复位，RTC 闹钟/时间戳/侵入/自动唤醒事件，FWDGT 复位，WKUP
引脚的上升沿。待机模式可以达到最低的功耗，但唤醒时间最长。另外，一旦进入待机模式，
SRAM0/SRAM1/SRAM2/SRAM3 和 1.1V 电源域寄存器的内容都会丢失。退出待机模式时，
会发生上电复位，复位之后 RISC-V 将从 0x00000000 地址开始执行指令代码。
2 SRAM 睡眠模式
当 SRAM0/SRAM1/SRAM2/SRAM3 中至少有一个掉电时，置位 PMU_CTL1 寄存器中的
SRAMxPSLEEP（x = 0/1/2/3）位，则对应的 SRAMx（x = 0/1/2/3）开始进入掉电状态（需等
待几个 PCLK 时钟，SRAM 才可完全掉电，进入 SRAM 睡眠模式）。
置位 PMU_CTL1 寄存器中的 SRAMxPWAKE（x = 0/1/2/3）位，则对应的 SRAMx（x = 0/1/2/3）
上电。
当运行模式/睡眠/深度睡眠模式时，SRAMx（x = 0/1/2/3）可以配置为上电或掉电。
当待机模式时，SRAMx（x = 0/1/2/3）掉电
|
楼主
标题置顶
标题高亮
