本帖最后由 ddw315 于 2023-10-30 09:57 编辑
ReRAM代表电阻式RAM，将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身。换句话说，关闭电源后存储器仍能记住数据。
虽然 ReRAM 中的材料科学极其复杂，但基本理论相对简单。ReRAM 使用电阻作为开关的基础，而不是电荷。 "基本上，它是一个具有可变电阻的电阻器，可以通过施加特定电压来改变电阻，并且可以重置和再次设置，”Intrinsic 首席执行官 Mark Dickinson 解释道。 ReRAM 操作的核心是导电丝，它们通过两种不同的方法形成和分离。在 OxRAM 中，金属氧化物材料夹在两个电极之间。当在顶部电极上施加正电压时，两个电极之间会形成导电丝。灯丝由氧空位组成。当在底部电极上施加负电压时，导电丝会断裂。实际上，ReRAM 在高电阻状态和低电阻状态之间切换。电阻的变化在存储器中用“0”和“1”表示。
潜在的 eFlash 替代品 ReRAM 现在是取代高端嵌入式闪存 (eFlash) 系列的主要竞争者之一，尽管不太可能是 NAND 闪存。正如 Objective Analysis 在其 2023 年新兴存储器报告中所写，“随着时间的推移，大多数 SoC 中嵌入的 NOR 将几乎完全被 MRAM、ReRAM、FRAM 或 PCM 取代，这也将有助于推动独立新存储器的成功。” Rambus Labs高级副总裁 Gary Bronner 表示：“与嵌入式闪存相比，ReRAM 需要更少数量的掩膜来与 CMOS 工艺集成，可扩展到更小的节点，并且可字节寻址。传统 NAND 闪存的主要指标是每比特成本，而 ReRAM 没有竞争力。” ReRAM 受到关注的另一个例子是 Weebit Nano 的 ReRAM 现已完全合格并可用于 SkyWater Technology 的 130nm CMOS 工艺。 此外，台积电和英飞凌多年来共同开发ReRAM（也称为RRAM），现在将其整合到汽车微控制器中。 “几年前，随着我们向先进工艺节点迈进，我们认为 RRAM 是嵌入式存储器的正确选择，”英飞凌营销和应用副总裁 Sandeep Krishnegowda说道。“这是一种低功耗技术。它是字节寻址的，因此与闪存不同，您可以直接写入。耐用性和保持性能与闪存兼容，并且成本更低。十多年来，我们一直与台积电合作开发 RRAM 制造技术和算法。我们首先在一些芯片卡中使用 RRAM，这些卡用于无现金支付和安全身份验证。在控制器和 MCU 的消费工业市场中，我们使用此类存储器作为嵌入式闪存的替代品。最近，我们将其带入汽车领域。” 对于芯片卡来说，ReRAM还有另一个优点，即抗辐射、电磁耐受力高。“如果你考虑支付卡以及每个人想要如何提取信息，你就会**你的**力非常强大，”克里什内戈达指出。 此外，由于 ReRAM 不是基于电荷的，因此不存在泄漏问题，Kenyon 说。
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