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半导体测试#IPM 参数测试系统

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zhiying2021|  楼主 | 2023-11-11 13:57 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
系统概念:
IPM(Intelligent Power Module),即智能功率模块,是先进的混合集成功率器件, 不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且还内部集成有过电压,过电流和过热等故障检测电路,并可将检测信号送到CPU。
  该系统在解决了IPM 的控制信号源以及高速数据采集处理两个关键技术的条件下,是一套基于 DSP 及 FPGA的高速实时测试系统,选择中心对准 SPWM 波形作为IPM控制信号源,检测IPM 的开关特性参数以及电压电流谐波特性,并对器件的故障信息给予判断处理。

测试功能:                            配置/短路测试
测试范围        测试参数
IPM        BVCES BVRRM BVSCES ICES IRRM
VCE(SAT), VFBR, VDSET, VDSET-HP,
ID, VEC,
Uvt, Uvr, OUVt, OUVr, VCIN(ON),
VCIN(OFF),
ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L),
VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,
Otc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, Ovt,
T_MEAS, V_MEAS
IGBT        ICES BVCES IGES VF VGEON
VTH,VTHS,ICE(SAT),VCE(SAT)
DIODE        VF-Temp,Temp, VF revision
电压        电流
标配        选配        标配        选配
1200V        2200V        200A        600A
        4500V                1000A
        6000V                2000A
短路测试
项目        范围        误差        分辨率
***        100V-1200V        ±3%        10V
测试电流        10A-75A        ±3%        1A
短路电流        100A-500A        ±3%        1A









静态参数        上桥参数        动态参数
上桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-H)                集电极电压/Vce:100~1200V/±3%/10V
上桥IGBT/FRD耐压测试(Bvce-H)                集电极电流/Ice: 10~75A/±3%/1A
上桥驱动IC低端静态电流测试(IDH)                VD=VBS=15V/±3%/0.1V
上桥驱动IC高端静态工作电流测试(Iqbs-U V W)                VIN=0~5V/±3%/0.1V
上桥欠压保护监测电平(UVbsd-U V W)                ton-L : 10~500nS/±3%/1nS
上桥欠压保护复位电平(UVbsr-U V W)                tc(on)-L :5~200nS/±3%/1nS
上桥驱动IC导通阈值电压测试(Vth(on)-UH VH WH)                toff-L: 50~500nS/±3%/1nS
上桥驱动IC关断阈值电压测试(Vth(off)-UH VH WH)                tc(off)-L: 5~200nS/±3%/1nS
上桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UH VH WH)                Trr-L :10~500nS/±3%/1nS
上桥FRD正向压降测试(VF-(UH VH WH)                Eon-L :0.1~10mJ/±3%/0.1mJ
                Eoff-L: 0.1~10mJ/±3%/0.1mJ
下桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-L)        下桥参数        集电极电压/Vce:100~1200V/±3%/10V
下桥驱动IC静态工作电流测试(IDL)                集电极电流/Ice:10~75A/±3%/1A
故障输出电压测试(Vfoh Vfol)                VD=VBS=15V/±3%/0.1V
过流保护阈值电压测试(Vcin(ref))                VIN=0~5V/±3%/0.1V
下桥欠压保护监测电平(UVdd)VD=VBS=15V                on-L : 10~500nS/±3%/1nS
下桥欠压保护复位电平(UVdr)                tc(on)-L :5~200nS/±3%/1nS
下桥驱动IC导通阈值电压(Vth(on)-UL VL WL)                toff-L: 50~500nS/±3%/1nS
下桥驱动IC关断阈值电压(Vth(off)-UL VL WL)                tc(off)-L: 5~200nS/±3%/1nS
下桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UL VL WL)                Trr-L :10~500nS/±3%/1nS
下桥FRD正向压降测试(VF-(UL VL WL)                Eon-L :0.1~10mJ/±3%/0.1mJ
                Eoff-L: 0.1~10mJ/±3%/0.1mJ

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