引言 STM32WB 系列微控制器旨在最大限度地减少所需的外部组件数量，以确保最佳 RF 性能。
本文档详细介绍了 Bluetooth®低功耗应用的材料清单（BOM）。
QFN48 封装用作参考，但对其有效的考虑可轻松扩展到其他封装。
目录
1设计考虑
1.1 SMPS 和 LDO 配置
1.2 VDD > 3 V 时的 LDO 配置
1.3 HSE 微调
1.4 RF 匹配
2 示意图
3 材料清单
4 结论
5 版本历史
1 设计考虑
1.1 SMPS 和 LDO 配置
STM32WB 系列微控制器基于 Arm®(a)内核。
在这些器件上所实现的电源管理（参见 www.st.com 上提供的数据手册）嵌入了强大的开关模式电源（SMPS），以在电源电压高于 2 V 时提高电源效率，否则将使用 LDO 配置。两种配置如图 1所示。有关更多详情，请参见 www.st.com 上的 AN5246“在 STM32WB 系列微控制器上使用SMPS”。
为正常操作，SMPS 需要两个电感和两个电容。在 LDO 配置中，无需外部元件。详细电气图如第2 节所示
1.2 VDD > 3 V 时的 LDO 配置
此配置仅适用于寄存器 DBGMCU_IDCODE 中 REV_ID = 0x2001 的 STM32WB55Vx 器件（参见www.st.com 上提供的 RM0434）。
电感和电阻必须串联在 VLXSMPS 和 VFBSMPS 引脚之间，如图 2 中所示。
建议的值（见图 3）为：
电感：1.2 ± 0.1 nH，6 GHz ± 15%自谐振频率，1000 mA 额定电流（例如 Murata LQG15HS1N8B02）
电阻：2.2 Ω，能够支持 1 W@5 ns（例如 Vishay D10/CRCW0402e3）
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