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Microchip I2C EERAM器件的推荐使用方法

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稳稳の幸福|  楼主 | 2023-11-28 14:56 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
Microchip I2C EERAM器件的推荐使用方法.pdf (415.67 KB)

EERAM是一种非易失性存储器,由一个SRAM和配套的备份EEPROM组成。借助EERAM的设计,可随时根据需要快速写入数据,并且在意外断电时可安全保存数据。随后可在恢复供电后再次恢复数据。本应用笔记是数据手册(DS20005371)的扩展内容,通过提供多种技巧帮助实现更稳健的EERAM器件应用。工作模式SRAM允许快速读取和写入,耐擦写次数不限。只要不断电,存储在SRAM中的数据就可以根据需要随时更新。为了保存SRAM映像,只要检测到电压低于预设大小,自动存储功能就会将整个SRAM映像复制到EEPROM阵列。自动存储过程的电源由外部连接的VCAP电容提供。上电时,通过将EEPROM映像复制到SRAM来恢复整个存储器的内容。这种自动恢复操作在上电后的数秒内完成,并与其他器件的初始化同时进行。写入SRAM没有延时。SRAM可从任意随机地址开始写入,并可在整个阵列中连续写入,然后在到达末尾后返回到起始处。在写入STATUS寄存器(SR)的非易失性配置位时有一个短暂延时(在数据手册中指定为TWC)。除了自动存储功能之外,还有另外两种将SRAM数据存储到EEPROM的方法:
• 一种方法是硬件存储,由HS引脚的上升沿启动。
• 另一种方法是软件存储,启动方式是通过I2C向COMMAND寄存器写入正确指令。

如果用户希望仅使用手动存储方法,可将器件配置为在没有VCAP电容的情况下使用。在这种情况下,应通过将STATUS寄存器中的ASE位清零来禁止自动存储功能,VCAP引脚应连接到VCC。
如果禁止自动存储操作,器件不会自动备份SRAM数据。因此,断电时,自上次存储操作起写入SRAM的任何数据都可能会丢失。鉴于上述原因,应用必须经常启动存储操作,以最大限度地减少数据丢失,但频率不得超过EEPROM的耐擦写次数。

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沙发
稳稳の幸福|  楼主 | 2023-11-28 14:57 | 只看该作者
PCB布线注意事项
EERAM器件的VCC引脚上应有一个旁路电容,就像任何CMOS集成电路一样。建议在VCC与VSS之间连接一个0.1 μF的电容,并且靠近器件放置。
VCAP连接的布局不是很重要,但是应将电容靠近IC安装,走线尽可能短,最好使两者距离在1 或2 英寸以内。VCAP线不得分接,也不得与任何其他电路共用。
VCAP电容绝对不能用电池替代。上电后初次为VCAP电容充电所需的电流可能明显高于正常工作电流(VCAP 峰值充电电流可能达到或超出50 mA),因此EERAM和VCAP电容负极的接地连接应相对系统地保持低阻抗状态,最好将每一个都连接到地平面,以防止出现可能被误认为是逻辑电平信号的压降。
SDA和SCL这两条I2C线应远离噪声源以防止干扰总线。芯片地址输入为了在同一I2C总线上同时连接最多4个EERAM器件,我们提供了地址引脚A1 和A2。这两个引脚可连接到VCC或VSS。逻辑电平对应控制字节中的地址位。如果这两个引脚未连接,则它们将通过内部弱下拉默认配置为逻辑低电平,但在可能存在外部噪声的情况下,还是建议将这两个引脚连接至VCC或VSS,以提高其抗噪声能力

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板凳
稳稳の幸福|  楼主 | 2023-11-28 14:57 | 只看该作者
总线上拉电阻
应根据总线最高速度选择适当阻值的上拉电阻将SDA和SCL这两个I2C信号连接到总线。如果总线最高速度为400 kHz,建议使用10 kΩ上拉电阻。如果最高速度为1 MHz,建议使用2 kΩ上拉电阻。

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地板
星辰大海不退缩| | 2023-12-1 08:44 | 只看该作者
很好的使用方法,十分方便相关设计使用

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Henryko| | 2023-12-4 10:57 | 只看该作者
速度越快上拉越小吗

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