选择N-MOS还是P-MOS

发表于 2023-12-7 08:35

（1）从电路结构上看，低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS；

（2）从成本和便利性上看，N沟道MOSFET选择的型号多，物料成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，物料成本高；

（3）从性能上看，NMOS导通电阻小，发热量更低，允许通过的电流大，应用场景也更广泛，正激，反激、推挽、半桥、全桥等拓扑电路都能应用；

发表于 2025-11-6 11:31

N-MOS：基于电子导电，栅极施加正电压时形成N型导电沟道，电流从漏极流向源极

发表于 2025-11-6 14:15

N-MOS导通需栅极电压高于源极电压（如3.3V/5V），可直接由单片机GPIO驱动，无需额外电路

发表于 2025-11-6 16:39

N-MOS的导通电阻更低，适合大电流应用

发表于 2025-11-6 18:53

N-MOS的开关速度更快，适用于高频场景

发表于 2025-11-6 21:19

N-MOS型号更多且成本更低，而P-MOS因工艺复杂价格更高

发表于 2025-11-7 07:11

P-MOS基于空穴导电，栅极施加负电压时形成P型导电沟道，电流从源极流向漏极

[产品应用] 选择N-MOS还是P-MOS

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