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[电路/定理]

MOS波形很烂,求助如何改善

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楼主
fzh123|  楼主 | 2023-12-9 14:45 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

如图,u1时是驱动芯片,source能力5A,sink 3A,想要的脉宽大概在100ns,10A(主要是由并联的很多电容提供电流)黄色是R2两端的差分电压波形,蓝色是光电管两端的差分波形。可以看出来,R2波形振荡严重。测量栅源波形时,也是振荡的,震荡趋势与黄色曲线接近。尝试改过R1电阻,最大加到30R,是没有振荡了,但是波形变得很缓慢,没法接受。有没有什么办法可以改善波形。
Q1使用的是mos参数如下:



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沙发
Siderlee| | 2023-12-11 08:18 | 只看该作者
驱动的应该是无感的电阻吧,如果不是,那可能就是这样

或者r2是不是无感的

器件不是理想的

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板凳
Siderlee| | 2023-12-11 08:19 | 只看该作者
电阻

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地板
jjjyufan| | 2023-12-11 08:49 | 只看该作者
1 换电源 没有电源继续并联电容
2 MOS什么型号?换其他mos看看

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5
fzh123|  楼主 | 2023-12-11 09:50 | 只看该作者
Siderlee 发表于 2023-12-11 08:18
驱动的应该是无感的电阻吧,如果不是,那可能就是这样

或者r2是不是无感的

不是无感的,普通0402电阻,几个并联的。我之前考虑并联更多的稍微大点阻值的电阻去试试,但是没有合适阻值的电阻,就还没有尝试。

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6
fzh123|  楼主 | 2023-12-11 09:53 | 只看该作者
jjjyufan 发表于 2023-12-11 08:49
1 换电源 没有电源继续并联电容
2 MOS什么型号?换其他mos看看

电容应该是够了的,考虑转折频率,大小电容都放了。从电容的充放电曲线分析,容量应该是能够满足100ns的10A电流。至于更换MOS,也想过了,但是这个MOS的封装不是普通的MOS,更换更小的寄生参数的MOS的话,需要重新画板子。所以想看看有没有什么办法可以改善波形的。

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7
怀揣少年梦| | 2023-12-11 10:54 | 只看该作者
栅源之间并联10K电阻,加快导通。

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8
zlf1208| | 2023-12-11 11:20 | 只看该作者
楼主要求脉宽100ns,上升沿按10%计算是10ns,转换成频率应该是50MHz,驱动芯片估计达不到这个工作频率

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9
xch| | 2023-12-11 12:49 | 只看该作者
驱动走线太细

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10
fzh123|  楼主 | 2023-12-11 14:44 | 只看该作者

Drive芯片本身封装很小,盘直径小于0.3mm,我们的走线就是0.3mm,0.3mm的线走1-2A应该没什么问题吧。驱动芯片到电阻的长度1.3mm,0402的10R电阻并联了3颗,然后电阻到MOS的长度2.5mm,线是直接铺铜过去的。

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11
xch| | 2023-12-11 17:01 | 只看该作者
fzh123 发表于 2023-12-11 14:44
Drive芯片本身封装很小,盘直径小于0.3mm,我们的走线就是0.3mm,0.3mm的线走1-2A应该没什么问题吧。驱动 ...

不能按照电工姿势来理解设计宽度。
走线细意味着特征阻抗高,等效串联电感大 , 为了波形好看只好串联高阻值电阻了。

如果没办法加宽导线,或者可以用多层板来降低特征阻抗。

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xch 2023-12-11 17:55 回复TA
@fzh123 :这是你自己需求,问我干啥? 你的负载电容是多少?允许驱动阻抗是多少?自己算。如果计算结果无法实现,就别异想天开了 
fzh123 2023-12-11 17:11 回复TA
如果只考虑线宽,多宽比较合适?如果考虑特征阻抗,多大的特征阻抗合适呢? 
12
lf626384| | 2023-12-12 13:59 | 只看该作者
100ns 频率有点高啊, 你的驱动芯片是什么  

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13
lfc315| | 2023-12-12 15:03 | 只看该作者
增强U1A的驱动能力,减小网络1 网络5的分布电感、负载电容。

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14
lfc315| | 2023-12-12 15:20 | 只看该作者
如果关心的是D1的电流波形,那么Q1性能也是很关键了。
包括网络2 网络3的走线分布参数也得注意。

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