本帖最后由 SynwitMCU 于 2023-12-18 09:21 编辑
1.MCU 不能工作查看原因
1、电源上电时间是否过长，导致复位不成功；
2、手动把 RST 引脚接地一下再放开，看是否可以顺利启动；
3、将系统时钟源配置为内部的RC振荡器，以排除是否为外部晶振引起的异常；
4、用示波器测量 CAP 电压（核电压）, 观察CAP 电压是否稳定；
5、上电前5ms BOOT引脚检测到高电平会进入ISP模式，看是否进入了ISP模式；
6、用例程库Lib改软件，只点亮一个灯，或找个合适的 IO 输出方波，看是否能工作，再进一步排查硬件 ；
2.IO 端口电平转换应用
3.3V 供电的 MCU（如 SWM181、SWM320、SWM341）如需要与 5V供电 MCU 进行串口通讯，需要做电平转换。可参考下图所示电路
3.TFTLCD 抗干扰辐射设计
3.1、晶振回路的设计
晶振的 XI、XO 并接 1~2MΩ的电阻，同时 XO 输出端可预留串 600RH 的磁珠到MCU；另外，晶振的布局尽量靠近 MCU，且应距离板框5mm 以上。
离板框的距离超过 5mm。对辐射干扰起到一定的作用。
3.2、TFT-LCD 接口设计
在设计中，RGB 数据、Hsync、Vsync、PCLK、DE 等信号线建议预留串接 22~33 欧姆电阻，起到一定抗干扰辐射作用。PCLK信号除串电阻外还应对GND接4.7~22pF电容，而且PCLK的走线应两边包GND从MCU到显示屏接口尽量不要打孔，根据产品应用的需求，也可增加 ESD 的处理。
3.3、SD 卡接口设计
电源滤波电容应靠近SD 卡接口的3.3V,DAT信号走线应尽量平行等长，CLK 信号可以串接 33Ω电阻对GND接10pF电容，以降低辐射干扰，还可根据产品应用的需求，增加 ESD 的处理。
3.4、外挂 SPI-FLASH 设计
SPI FLASH布局应尽量靠近MCU,走线应尽量不要打孔，且SPI FLASH的GND应与MCU的GND大面积相连， CLK 信号可以串接 33Ω电阻对GND接10pF电容，以降低辐射干扰 。
3.5、电容触摸接口设计
电容触摸接口一般为 I2C 通讯方式，建议 I2C 数据线上串接 33Ω电阻，以降低辐射干扰，I2C的上拉电阻应在（2-4.7K）范围内选取。
3.6、背光升压电路设计
背光电路可参考如下设计，其中 R22、C30 作为吸收回路，对辐射干扰起到一定作用；输入端VIN 串接 10Ω电阻，以防止 ESD 引起电压反串到升压芯片。
|
楼主
标题置顶
标题高亮
