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使用 SiC MOSFET 和肖特基二极管计算中子通量导致的超额故障率

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小灵通2018|  楼主 | 2023-12-18 22:32 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
使用 SiC MOSFET 和肖特基二极管计算中子通量导致的超额故障率.pdf (393.91 KB)
当高能粒子进入地球大气层时,由中子引起的故障过程
也将随之开始。这些粒子大多数都带电,并且会受地
球磁场的影响而发生偏转。因此,中子引起的故障与纬
度有关。
进入大气层的粒子为各种核碎片,即质子、氦、较重核
离子以及高能伽马射线等组合。在粒子进入大气层之初
就会发生各种核交互作用,而能量则会传递给其他气体
原子。这会减少各个交互作用的能量,并增加受整个系
统能量动量守恒影响的相关粒子数量。
在大气层更深处,最重要的反应产物就是中子。中子均
不带电,因此可以穿透任何固体,同时不会与其他原子
相互作用。带电粒子受所谓的库仑势垒影响。不带电的
中子可以轻松穿透势垒。
当中子穿透半导体晶体时,有时候会与晶格核发生碰
撞,从而将原子从晶格中撞出,并使原子发生电离。这
种碰撞会产生自由粒子,而这些自由粒子会使仍与该原
子固定在一起的其他原子发生电离。这样就会沿着原子
的路径形成大量空穴 / 电子对。如果自由粒子到达电压
阻断区域,将会加速向其末端原子移动。电子朝正极移
动,而空穴朝负极移动。随着它们加速移动,会产生更
多空穴 / 电子对,从而使其效应倍增。这种倍增作用会
形成雪崩,而雪崩会产生热量,并损坏器件。

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沙发
小明的同学| | 2023-12-24 18:30 | 只看该作者
这个概念没用过啊

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