[CW32F030系列] 如何提高CW32 FLASH使用寿命

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 楼主| forgot 发表于 2024-1-3 08:48 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 pssyx 于 2024-1-10 10:38 编辑

基于嵌入式 FLASH 的特性,FLASH 的操作次数和存储时间是有限的,用户在应用程序中应尽量避免频繁对某一页或某一地址的 FLASH 存储器进行擦写操作,以保证数据的可靠存储。
cr315 发表于 2024-1-3 10:26 | 显示全部楼层
CW3FLASH呢
中国龙芯CDX 发表于 2024-1-9 14:59 | 显示全部楼层
MCU其实一般情况下很少对内部FLASH进行擦写的,一般最好按部就班的执行就好!

评论

是的  发表于 2024-1-10 08:26
pssyx 发表于 2024-1-10 10:44 | 显示全部楼层
如果将FLASH剩余空间模拟成EEPROM的话,可以通过算法来提高其数据的擦写次数。
再见十分钟 发表于 2024-1-10 10:52 | 显示全部楼层
可以采用均衡磨损的手段提高寿命
szt1993 发表于 2024-2-25 16:57 | 显示全部楼层
FLASH剩余空间模拟成EEPROM的话,可以通过算法来提高其数据的擦写次数。
星辰大海不退缩 发表于 2024-8-6 21:44 | 显示全部楼层
FLASH 的操作次数和存储时间是有限的,用户在应用程序中应尽量避免频繁擦写
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