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用STM32F103xE 的IO控制MOS管的问题?

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楼主
本帖最后由 myic200610 于 2012-5-13 00:53 编辑

请教:
微控制器:STM32F103xE ;
MOS管:IRFZ44N;
电路图如下:
请问,用STM32F103xE 的PC0口可以驱动MOS管IRFZ44N吗?
非常感谢!
沙发
EAMCU| | 2012-5-13 09:02 | 只看该作者
用MCU驱动MOSFET,主要考察需求开关速度(太快的不能用MCU),阈值电压(MCU的高电压只有3.3V)。
由此可见,MCU驱动IRFZ44N并不合适,其阈值电压在2~4V之间,可能会导致量产时,某些MOSFET可以打开,某些MOS无法打开

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suse-lj| | 2012-5-13 11:34 | 只看该作者
还是用三极管来驱动吧

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myic200610|  楼主 | 2012-5-14 02:00 | 只看该作者
本帖最后由 myic200610 于 2012-5-14 02:05 编辑

谢谢楼上的指点!
我的理解如下,不知对否,还请指点(IRFZ44N的静态特性如下图所示)!
STM32F103xE    MCU的高电压只有3.3V。
对于阀值电压为2V~3.3V的IRFZ44N,该MCU可以正常驱动,打开MOSFET;对于阀值电压为3.3V~4V的IRFZ44N,该MCU就无法 正常驱动该IRFZ44N,不能打开MOSFET。


谢谢!

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airwill| | 2012-5-14 09:22 | 只看该作者
通常我们很不推荐使用 IO 口直接驱动 MOSFET
原因:
1. 开关电压的阀值很难匹配, 当然楼主还可以找到 1.0~2.x 阀值的 MOSFET, 但开关瞬间的 IO 口还是难于提供足够的驱动电流, 以至于开关损耗大, 易损坏 MOSFET;
2. MOSFET 是个比较大的结电容 Cgs, 开关瞬间有峰值冲击电流,  IO 口相对来说比较脆弱, 容易损坏, 即使在输出端口串联限流电阻, 由于电容充放的冲击电流, 给单片机造成噪声干扰也比较严重.
3. MOSFET 的 Cdg 也是很容易造成单片机干扰的因素, 这个电容让输出和输入相耦合, 让开关噪声通过这个电容耦合到 IO 口, 产生干扰!

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lrhsx33| | 2012-5-14 09:40 | 只看该作者
IO 电压大低,如果你Z44负载电流小,MCU用5.5V,那还是可以的;
MCU用5V以下或Z44负载电流大于100mA,那还是改加三极管用12V去驱动Z44吧。

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7
LAORUAN| | 2012-5-14 10:52 | 只看该作者
5楼分析的很好啊,牛叉。

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8
myic200610|  楼主 | 2012-5-15 00:16 | 只看该作者
非常感谢大家的指点!

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9
myic200610|  楼主 | 2012-5-15 01:41 | 只看该作者
如下图所示:
用STM32F103XE的PC0口控制三极管Q1,此三极管用作MOS管Q2的驱动,来控制MOS管Q2的通断。
请问,在上电复位(或不断电复位)的情况下,上述电路能否保证此时Q2处于关断状态。
谢谢!

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weihaitun| | 2012-5-16 15:21 | 只看该作者
本帖最后由 weihaitun 于 2012-5-16 15:24 编辑

MOSFET 不是压控吗?开关瞬间是因为有电容在才导致很大的电流消耗吗?

MCU 复位后的IO状态如何?复位后被置为浮空输入模式,不会打开MOSFET。

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mcuisp| | 2012-5-16 15:24 | 只看该作者
结电容应该不至于损害IO。
单片机IO本来就可以带容性负载,而且也有内部等效电阻进行限流。

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12
guitronic| | 2012-5-16 15:30 | 只看该作者
直接驱动MOS管应该不行吧,虽然是压控但是需要小电流的。

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myic200610|  楼主 | 2012-5-18 00:23 | 只看该作者
学习了,谢谢大家!

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14
lkl10800139| | 2012-9-7 17:23 | 只看该作者
IO 电压大低,如果你Z44负载电流小,MCU用5.5V,那还是可以的;
MCU用5V以下或Z44负载电流大于100mA,那还是改加三极管用12V去驱动Z44吧。
lrhsx33 发表于 2012-5-14 09:40

在mos管前面加三极管推动会好点么?9楼的图对吗

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