有关光耦可控硅控制中，一个不能理解的电阻问题

登录 · 发表于 2012-5-13 08:50

用光耦可控硅驱动可控硅时，这个电阻的作用是啥？？一直没明白。

发表于 2012-5-13 12:27

没有人解答一下吗？
顶一下，让高人看到。

发表于 2012-5-13 15:06

围观，我平时有时候不求甚解，用过也看过，但没注意到这个细节，楼主用心，必定能成为一个好的工程师。期待有人解答！

发表于 2012-5-13 15:44

谢谢楼上帮顶，期待能遇到高人讲解一下。

发表于 2012-5-13 16:13

是双向可控硅的门极电阻,当可控硅灵敏度较高时,门极阻抗也很高,并上 330 可提高抗干扰能力。

发表于 2012-5-14 11:09

预防MOC3041关断时的微弱漏电流而对可控硅产生的误触发。

发表于 2012-5-14 11:23

pspice仿真下就明白了

发表于 2012-5-14 11:51

330会不会太小了点，我一般都是用10K或者20K。

发表于 2012-5-15 11:17

感谢上面几位的解释，我的疑虑如下：
双向可控硅的触发有4种情况，
T2(或称阳极)+ T1(或称阴极)-    G（或称触发极）+
T2(或称阳极)+ T1(或称阴极)-    G（或称触发极）-

T2(或称阳极)- T1(或称阴极)+    G（或称触发极）+
T2(或称阳极)- T1(或称阴极)+    G（或称触发极）-

也就是说，无论双向可控硅两端是交流电的正半轴，还是负半周，触发极都可以通过高和低两种情况进行触发，
根据这条原理，图中在MOC3041关断时，如果遇到T2(或称阳极)- T1(或称阴极)+    正好满足 G（或称触发极）+
可控硅不是又触发了吗？也就是当MOC3041不工作时，双向可控硅会在负半周继续工作，相当于单向可控硅的功能了？？
不知道我的表达清楚了没有？

发表于 2012-5-15 12:49

G的触发极性是相对于T1来说的。当3041关断时，其微小的漏电流被并联在G和T1间的电阻所旁路，使得其上面的电压很低----近似等于0，远小于触发所需的电压。所以根本不会发生触发，不管是正半周还是负半周。

发表于 2012-5-15 15:13

5楼正解。

发表于 2012-5-16 10:02

本帖最后由 jinyitong 于 2012-5-16 10:05 编辑

G的触发极性是相对于T1来说的。当3041关断时，其微小的漏电流被并联在G和T1间的电阻所旁路，使得其上面的电压很低----近似等于0，远小于触发所需的电压。所以根本不会发生触发，不管是正半周还是负半周。 ...
qzlbwang 发表于 2012-5-15 12:49

终于搞明白了，“G的触发极性是相对于T1来说的”！
当交流负半周即T1+ T2-时，G极和T1等电位，不高于T1，也不会低于T1（在3041关断时），所以，不会有我理解的那样，出现负半周工作的情况。
而这个电阻正是10楼、6楼所说的那样，旁路掉3041的漏电流，很好的关断可控硅。
谢谢各位了。

发表于 2012-5-16 21:54

提高抗干扰能力防止误触发。

登录 · 发表于 2014-11-4 11:03

我的360欧的电阻，为什么总烧毁呢？换成1w的也很热

发表于 2015-12-14 21:16

cl234583745 发表于 2014-11-4 11:03
我的360欧的电阻，为什么总烧毁呢？换成1w的也很热

你这个电阻不是门级防止误触发的电阻

发表于 2016-1-17 12:35

非常感谢楼主及其他朋友的问题及解答。

发表于 2016-4-15 14:53

学习了

发表于 2016-5-25 11:49

绝对官方回答：栅极电阻Rg仅在TRAIC或SCR的内部栅极阻抗较高时（敏感性栅极晶闸管就属于该情况）才是必须的。这些器件如果没有Rg,抗噪性能和热稳定性将会非常差。在该情况下，栅极电阻值的范围应当为100~500欧。电阻设计人员应当意识到，使用栅极电阻会增加所需的触发电流I(GT),因为Rg会吸走一部分的I(GT).栅极电阻与限流电阻R结合会造成零时刻与功率TRAIC触发时刻之间的非预期延迟或相移。

发表于 2016-11-27 11:00

那这个电阻应该换为多大的合适呢我用的470 做为水箱加热器的电路也是直接烧了 1/4w的

发表于 2016-12-10 18:29

学习

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