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[开关电源]

NMOS H桥空载异常

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fpgailwan|  楼主 | 2024-1-11 21:31 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
650V45A NMOS搭的H桥，300V母线。光耦隔离驱动。硬开关，带负载四个管子都正常，但是空载时管子发热严重，甚至烧管子。这是什么原因呢？是由于结电容充放电导致管子空载损耗增大吗？示波器测试到空载时。每次管子开通都会导致一个时间很短大概100ns电流脉冲流过D到mos。峰值几个A。

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