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变压器
,
隔离
,
MOS
,
os
,
升压
驱动高边MOS,假设电压为100V,是用芯片自举升压还是变压器隔离好?
用驱动芯片自举升压?
变压器隔离?
变压器隔离,有什么限制吗?速度会慢一下?驱动信号没那么直,会有上升沿时间?
如果要一直开启MOS,还可以用变压器隔离驱动吗?
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