[STM32G4]

STM32G4系列片上FLASH的读写

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tfqi|  楼主 | 2024-2-4 13:50 | 显示全部楼层 |阅读模式
读操作
读操作很简单,以32位方式读取的时候是这样的:

data = *(__IO uint32_t *)(0x0800F000);



需要注意的是,当以32位方式读取时,地址需要是4的整数倍,即32位。
8位或16位方式类似操作即可
520365bf25a421603.png

写操作
需要注意的是,写操作时,是以64位方式写入数据,即以双字的方式写入,以下代码是将一个u64的值0x12345678aabbccdd,写入0x0800F000这个地址

HAL_FLASH_Unlock();
__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);
HAL_FLASH_Program(0, 0x0800F000, 0x12345678aabbccdd);
HAL_FLASH_Lock();



扇区擦除
  EraseInitStruct.TypeErase   = FLASH_TYPEERASE_PAGES;    //删除方式
  EraseInitStruct.Page        = start;                    //超始页号
  EraseInitStruct.NbPages     = len;                      //页的数量
  EraseInitStruct.Banks       = bank;                     //bank号

  HAL_FLASH_Unlock();         //解锁,以准备进行FLASH操作
  HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &err);      //擦除
  HAL_FLASH_Lock();           //上锁,以结束FLASH操作



调试
写完烧录开始调试,发现问题了,有时能写入,有时不能写入。

先找了正点原子的例程来做参考,他的可以写入,但原子的例程是操作寄存器进行读写的,不直观,移植性也不好,个人还是喜欢用HAL库的方式来做东西,于是作罢。

然后又找了ST的例程来看,刚好手上有一块G4的开发板,于是编译,报错,可能是我的开发环境比较新,与ST官方的编译环境不同,又是一通折腾,编译通过,但一加载调试,就卡死不动。

于是新建工程,再把ST的例程移植到我的工程中,编译通过,可以调试,还是有时能写有时不能写。又回到了起点。

不过在前面的折腾中总结了一个规律,第1次写入几乎都会失败,第2次有一半的机率成功,但后续成功率很高,几乎不会写入失败。于是改进一下,增加对写入的判断,如果发生错误,会重复写入不超过10次,如果超过10次仍然错误,则写入失败。这样就可以保证写入成功了。

测试代码如下
未包含写入失败的相关代码,需要的自行添加。

if(GET_KEY() == 0)
{
  data32[0] = *(__IO uint32_t *)(0x08010000+i*8);                //FLASH读数据,以字的方式读取
  data32[1] = *(__IO uint32_t *)(0x08010000+i*8+4);
  if((data32[0] == 0xffffffff) && (data32[1] == 0xffffffff))        //FLASH内容为空
  {
    LED1(1);
     HAL_FLASH_Unlock();
    __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);

    flash_count=0;
    while(flash_count < 10)
    {
      if(HAL_FLASH_Program(0, 0x08010000+i*8, 0xaabbccdd12340000+i) == HAL_OK)
        break;
      else
        flash_count++;

    }
    HAL_FLASH_Lock();
  }
  data32[0] = *(__IO uint32_t *)(0x08010000+i*8);
  data32[1] = *(__IO uint32_t *)(0x08010000+i*8+4);
  while(GET_KEY() == 0)
    ;
  LED1(0);
  i++;
}




4570865bf25b365263.png


本段代码能正确运行的前提,是待写入区域是空的,即全都是0xFF才行。

封装为函数
将代码封装一下,以便后续调用,并增加了一些条件判断

头文件如下:

//********************************************************************************************************
//*                                                                                   
//*  文件名:LL_flash.h                                                               
//*  文件说明:STM32G系列片上FLASH的相关操作                                                     
//*  作者:李佳                                                                       
//*  微信:LAOLIDESENLIN                                                              
//*  说明:本文档遵循GNU3.0开源许可证规范,即代码可开源并免费使用,引用、修改、衍生代码也需要开源、免费使用,
//*        但不允许修改后和衍生的代码做为闭源的商业软件发布和销售
//*
//********************************************************************************************************

#ifndef __LL_FLASH_H__
#define __LL_FLASH_H__

#include "LL_define.h"


/**************************************************************************************/
/* G431芯片的128KFLASH容量的页地址分布如下,共有1个BANK,64页,每一页2kb大小 */
#define STM32_FLASH_BASE        0x08000000      /* STM32 FLASH 起始地址 */
#define STM32_FLASH_SIZE        0x20000         /* STM32 FLASH 总大小*/
#define STM32_FLASH_PAGE_SIZE   0x800           /* STM32 FLASH 页大小*/


u8 LL_flash_erase_page(u16 start, u8 len, u8 bank);     //删除FLASH扇区
u8 LL_flash_read(u32 addr, u64* pdata64, u32 len_64);   //读片上FLASH
u8 LL_flash_write(u32 addr, u64* pdata64, u32 len_64);  //向片上FLASH写入数据

#endif





C文件如下

//********************************************************************************************************
//*                                                                                   
//*  文件名:LL_flash.c                                                               
//*  文件说明:STM32G系列片上FLASH的相关操作                                                     
//*  作者:李佳                                                                       
//*  微信:LAOLIDESENLIN                                                              
//*  说明:本文档遵循GNU3.0开源许可证规范,即代码可开源并免费使用,引用、修改、衍生代码也需要开源、免费使用,
//*        但不允许修改后和衍生的代码做为闭源的商业软件发布和销售
//*
//*
//*
//********************************************************************************************************


#include "LL_flash.h"
#include "LL_IO.h"


//按页删除片上FLASH数据
//start: 起始页号
//len:  待删除的页的数量
//bank: bank编号
//返回值:错误类型,0表示无错误
u8 LL_flash_erase_page(u16 start, u8 len, u8 bank)
{
  u32 err;
  u8 ret;
  FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
  u8 flash_count=0;

  EraseInitStruct.TypeErase   = FLASH_TYPEERASE_PAGES;    //删除方式
  EraseInitStruct.Page        = start;                    //超始页号
  EraseInitStruct.NbPages     = len;                      //页的数量
  EraseInitStruct.Banks       = bank;                     //bank号

  HAL_FLASH_Unlock();         //解锁,以准备进行FLASH操作
  __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);

  for(u8 i=0; i<10; i++)      //最多重复10次,如果仍然失败,则返回
  {
    ret = HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &err);      //擦除
    if (ret == HAL_OK)
      break;
  }

  if(ret != 0)
    led_err_flash(10, 100);   //擦除失败后闪灯提示, 供调试阶段使用, 正式使用时可删除

  HAL_FLASH_Lock();           //上锁,以结束FLASH操作
  return ret;
}


//读片上FLASH
//addr: 32位的地址值,该值应当是8的整数倍,因为是按照64位的方式读取数据的
//pdata: 返回的数据首地址
//len: 待读取数据的长度, 长度是按u64的数量
//返回值: 错误类型,0表示无错误
u8 LL_flash_read(u32 addr, u64* pdata64, u32 len_64)
{
  u64 data;

  for(u32 i=0; i<len_64; i++)
  {
    data = *(__IO uint64_t *)(addr+i*8);
    pdata64 = data;
  }
  return 0;
}


//向片上FLASH写入数据,每次写入8字节,不够8字节的,以0xFF补足
//addr: 32位的地址值,该值应当是8的整数倍,因为是按照64位的方式读取数据的
//pdata: 待写入的数据首地址
//len: 待写入数据的长度,长度是按u64的数量
//返回值: 错误类型,0表示无错误
u8 LL_flash_write(u32 addr, u64* pdata64, u32 len_64)
{
  u8 ret;
  u64 read;

  HAL_FLASH_Unlock();           //上锁,以结束FLASH操作
  __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);

  for(u16 j=0; j<len_64; j++) //按u64计算的
  {
    for(u8 i=0; i<10; i++)    //不超过10次的重复操作,以保证写入成功
    {
      ret = HAL_FLASH_Program(0, addr+j*8, *(pdata64+j));
      if(ret == HAL_OK)
      {
        read = *(__IO uint64_t *)(addr+j*8);  //在MCU认为写入正确以后,再次读取一下数据,并进行比对,如果比对不成功,也说明写入出错
        if(read != *(pdata64+j))
          ret = 255;
        return ret;
      }
    }
  }

  if(ret != 0)
    led_err_flash(10, 100);   //擦除失败后闪灯提示, 供调试阶段使用, 正式使用时可删除

  HAL_FLASH_Lock();           //上锁,以结束FLASH操作

  return ret;
}






封装后的测试函数
u64 data64[32]={0};
u8 g_text_buf[64] = {"LIJIA000LIJIA001LIJIA002LIJIA003LIJIA004LIJIA005LIJIA006LIJIA007"};

    if(GET_KEY() == 0)
    {
      HAL_Delay(200);
      LL_flash_read(0x08010000, data64, 4);
      if(data64[0] == 0xffffffffffffffff)       //如果是空的,则写入
      {
        LED1(1);
        LED2(1);
        if(LL_flash_write(0x08010000, (u64*)g_text_buf, 4) != 0)
          continue;
      }
      else                                      //如果为非空,则擦除
      {
        LL_flash_erase_page(32, 1, 0);    //第32页,长度1页,BANK 0
      }
      LL_flash_read(0x08010000, data64, 4);
      while(GET_KEY() == 0)
        ;
      LED1(0);
      LED2(0);
      i++;
    }




测试结果如下图,如果写入成功,LED灯会在操作之后灭掉,如果写入失败,则LED灯会保持点亮状态,
9813965bf25be5308e.png

总结
绝对不能只写入一次,就认为写入正确,恰恰相反,最开始的2次写入,极有可能写入失败。
所以必须重复写入几次,并且增加校验,即写入完成后,再读取数据,并进行比较,以确保正确。

下载
h和c文件已更新,可以读写任意连续页(扇区),对于只写一部分的页,未写的那部分的已有数据会予以保留,比如:一个扇区总共256个u64(双字)写入了若干数据,如果只需要改写其中的10个双字,该写函数会自动保留其他原始数据,只更新其中的10个双字,该功能已封装到c文件中,可直接下载使用
下载地址:https://download.csdn.net/download/13011803189/88763405
————————————————

                            版权声明:本文为博主原创文章,遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议,转载请附上原文出处链接和本声明。

原文链接:https://blog.csdn.net/13011803189/article/details/135625151

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tpgf| | 2024-4-7 16:25 | 显示全部楼层
如果不能正常操作flash  跟电压不稳定有关系吗

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LEDyyds| | 2024-4-7 16:56 | 显示全部楼层
操作FLASH一定要注意不能访问代码区的FLASH地址

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磨砂| | 2024-4-7 17:16 | 显示全部楼层
是什么原因导致写操作的失败率增高的呢

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八层楼| | 2024-4-7 18:22 | 显示全部楼层
支持32位的话 可以使用16位或者8位吗

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晓伍| | 2024-4-7 18:56 | 显示全部楼层
是什么原因导致一开始的两次写入会失败呢

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木木guainv| | 2024-4-7 19:30 | 显示全部楼层
默认的情况下 这个地址是大端模式还是小端模式啊

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xiaoqizi| | 2024-4-7 20:04 | 显示全部楼层
为什么多次写入才能保证正确呢

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