读操作
读操作很简单，以32位方式读取的时候是这样的：
data = *(__IO uint32_t *)(0x0800F000);
需要注意的是，当以32位方式读取时，地址需要是4的整数倍，即32位。
8位或16位方式类似操作即可
写操作
需要注意的是，写操作时，是以64位方式写入数据，即以双字的方式写入，以下代码是将一个u64的值0x12345678aabbccdd，写入0x0800F000这个地址
HAL_FLASH_Unlock();
__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);
HAL_FLASH_Program(0, 0x0800F000, 0x12345678aabbccdd);
HAL_FLASH_Lock();
扇区擦除
EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //删除方式
EraseInitStruct.Page = start; //超始页号
EraseInitStruct.NbPages = len; //页的数量
EraseInitStruct.Banks = bank; //bank号
HAL_FLASH_Unlock(); //解锁，以准备进行FLASH操作
HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &err); //擦除
HAL_FLASH_Lock(); //上锁，以结束FLASH操作
调试
写完烧录开始调试，发现问题了，有时能写入，有时不能写入。
先找了正点原子的例程来做参考，他的可以写入，但原子的例程是操作寄存器进行读写的，不直观，移植性也不好，个人还是喜欢用HAL库的方式来做东西，于是作罢。
然后又找了ST的例程来看，刚好手上有一块G4的开发板，于是编译，报错，可能是我的开发环境比较新，与ST官方的编译环境不同，又是一通折腾，编译通过，但一加载调试，就卡死不动。
于是新建工程，再把ST的例程移植到我的工程中，编译通过，可以调试，还是有时能写有时不能写。又回到了起点。
不过在前面的折腾中总结了一个规律，第1次写入几乎都会失败，第2次有一半的机率成功，但后续成功率很高，几乎不会写入失败。于是改进一下，增加对写入的判断，如果发生错误，会重复写入不超过10次，如果超过10次仍然错误，则写入失败。这样就可以保证写入成功了。
测试代码如下
未包含写入失败的相关代码，需要的自行添加。
if(GET_KEY() == 0)
{
data32[0] = *(__IO uint32_t *)(0x08010000+i*8); //FLASH读数据，以字的方式读取
data32[1] = *(__IO uint32_t *)(0x08010000+i*8+4);
if((data32[0] == 0xffffffff) && (data32[1] == 0xffffffff)) //FLASH内容为空
{
LED1(1);
HAL_FLASH_Unlock();
__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);
flash_count=0;
while(flash_count < 10)
{
if(HAL_FLASH_Program(0, 0x08010000+i*8, 0xaabbccdd12340000+i) == HAL_OK)
break;
else
flash_count++;
}
HAL_FLASH_Lock();
}
data32[0] = *(__IO uint32_t *)(0x08010000+i*8);
data32[1] = *(__IO uint32_t *)(0x08010000+i*8+4);
while(GET_KEY() == 0)
;
LED1(0);
i++;
}
本段代码能正确运行的前提，是待写入区域是空的，即全都是0xFF才行。
封装为函数
将代码封装一下，以便后续调用，并增加了一些条件判断
头文件如下：
//********************************************************************************************************
//*
//* 文件名：LL_flash.h
//* 文件说明：STM32G系列片上FLASH的相关操作
//* 作者：李佳
//* 微信：LAOLIDESENLIN
//* 说明：本文档遵循GNU3.0开源许可证规范，即代码可开源并免费使用，引用、修改、衍生代码也需要开源、免费使用，
//* 但不允许修改后和衍生的代码做为闭源的商业软件发布和销售
//*
//********************************************************************************************************
#ifndef __LL_FLASH_H__
#define __LL_FLASH_H__
#include "LL_define.h"
/**************************************************************************************/
/* G431芯片的128KFLASH容量的页地址分布如下，共有1个BANK，64页，每一页2kb大小 */
#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000 /* STM32 FLASH 起始地址 */
#define STM32_FLASH_SIZE 0x20000 /* STM32 FLASH 总大小*/
#define STM32_FLASH_PAGE_SIZE 0x800 /* STM32 FLASH 页大小*/
u8 LL_flash_erase_page(u16 start, u8 len, u8 bank); //删除FLASH扇区
u8 LL_flash_read(u32 addr, u64* pdata64, u32 len_64); //读片上FLASH
u8 LL_flash_write(u32 addr, u64* pdata64, u32 len_64); //向片上FLASH写入数据
#endif
C文件如下
//********************************************************************************************************
//*
//* 文件名：LL_flash.c
//* 文件说明：STM32G系列片上FLASH的相关操作
//* 作者：李佳
//* 微信：LAOLIDESENLIN
//* 说明：本文档遵循GNU3.0开源许可证规范，即代码可开源并免费使用，引用、修改、衍生代码也需要开源、免费使用，
//* 但不允许修改后和衍生的代码做为闭源的商业软件发布和销售
//*
//*
//*
//********************************************************************************************************
#include "LL_flash.h"
#include "LL_IO.h"
//按页删除片上FLASH数据
//start: 起始页号
//len: 待删除的页的数量
//bank: bank编号
//返回值：错误类型，0表示无错误
u8 LL_flash_erase_page(u16 start, u8 len, u8 bank)
{
u32 err;
u8 ret;
FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
u8 flash_count=0;
EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //删除方式
EraseInitStruct.Page = start; //超始页号
EraseInitStruct.NbPages = len; //页的数量
EraseInitStruct.Banks = bank; //bank号
HAL_FLASH_Unlock(); //解锁，以准备进行FLASH操作
__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);
for(u8 i=0; i<10; i++) //最多重复10次，如果仍然失败，则返回
{
ret = HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &err); //擦除
if (ret == HAL_OK)
break;
}
if(ret != 0)
led_err_flash(10, 100); //擦除失败后闪灯提示, 供调试阶段使用, 正式使用时可删除
HAL_FLASH_Lock(); //上锁，以结束FLASH操作
return ret;
}
//读片上FLASH
//addr: 32位的地址值,该值应当是8的整数倍，因为是按照64位的方式读取数据的
//pdata: 返回的数据首地址
//len: 待读取数据的长度， 长度是按u64的数量
//返回值: 错误类型，0表示无错误
u8 LL_flash_read(u32 addr, u64* pdata64, u32 len_64)
{
u64 data;
for(u32 i=0; i<len_64; i++)
{
data = *(__IO uint64_t *)(addr+i*8);
pdata64 = data;
}
return 0;
}
//向片上FLASH写入数据，每次写入8字节，不够8字节的，以0xFF补足
//addr: 32位的地址值,该值应当是8的整数倍，因为是按照64位的方式读取数据的
//pdata: 待写入的数据首地址
//len: 待写入数据的长度，长度是按u64的数量
//返回值: 错误类型，0表示无错误
u8 LL_flash_write(u32 addr, u64* pdata64, u32 len_64)
{
u8 ret;
u64 read;
HAL_FLASH_Unlock(); //上锁，以结束FLASH操作
__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);
for(u16 j=0; j<len_64; j++) //按u64计算的
{
for(u8 i=0; i<10; i++) //不超过10次的重复操作，以保证写入成功
{
ret = HAL_FLASH_Program(0, addr+j*8, *(pdata64+j));
if(ret == HAL_OK)
{
read = *(__IO uint64_t *)(addr+j*8); //在MCU认为写入正确以后，再次读取一下数据，并进行比对，如果比对不成功，也说明写入出错
if(read != *(pdata64+j))
ret = 255;
return ret;
}
}
}
if(ret != 0)
led_err_flash(10, 100); //擦除失败后闪灯提示, 供调试阶段使用, 正式使用时可删除
HAL_FLASH_Lock(); //上锁，以结束FLASH操作
return ret;
}
封装后的测试函数
u64 data64[32]={0};
u8 g_text_buf[64] = {"LIJIA000LIJIA001LIJIA002LIJIA003LIJIA004LIJIA005LIJIA006LIJIA007"};
if(GET_KEY() == 0)
{
HAL_Delay(200);
LL_flash_read(0x08010000, data64, 4);
if(data64[0] == 0xffffffffffffffff) //如果是空的，则写入
{
LED1(1);
LED2(1);
if(LL_flash_write(0x08010000, (u64*)g_text_buf, 4) != 0)
continue;
}
else //如果为非空，则擦除
{
LL_flash_erase_page(32, 1, 0); //第32页，长度1页，BANK 0
}
LL_flash_read(0x08010000, data64, 4);
while(GET_KEY() == 0)
;
LED1(0);
LED2(0);
i++;
}
测试结果如下图，如果写入成功，LED灯会在操作之后灭掉，如果写入失败，则LED灯会保持点亮状态，
总结
绝对不能只写入一次，就认为写入正确，恰恰相反，最开始的2次写入，极有可能写入失败。
所以必须重复写入几次，并且增加校验，即写入完成后，再读取数据，并进行比较，以确保正确。
下载
h和c文件已更新，可以读写任意连续页（扇区），对于只写一部分的页，未写的那部分的已有数据会予以保留，比如：一个扇区总共256个u64(双字)写入了若干数据，如果只需要改写其中的10个双字，该写函数会自动保留其他原始数据，只更新其中的10个双字，该功能已封装到c文件中，可直接下载使用
下载地址：https://download.csdn.net/download/13011803189/88763405
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