GD32 介绍与 STM32 兼容性汇总
一、 GD32 与 STM32 异同
1. 相同点
1) 外围引脚定义： 相同型号的管脚定义相同
2) Cortex M3 内核： STM32F103内核 R1P1版本, STM32F205内核 R2P1，
GD32内核 R2P1版本，此内核修复了 R1P1的一些 bug
3) 芯片内部寄存器，
外部 IP寄存器地址 : 逻辑地址相同，主要是根据STM32的寄存器和物理地址,
做的正向研发.
4) 函数库文件： 函数库相同，优化需要更改头文件
5) 编译工具： 完全相同 例如：keil MDK、IAR
6) 型号命名方式： 完全相同
2. 外围硬件区别
1) 电压范围（ADC）： GD32F： 2.6-3.6V STM32F： 2.0-3.6V（外部电压）
GD32F： 1.2V（内核电压）STM32F： 1.8V（内核电压）
2) BOOT 0 管脚： Flash 程序运行时，BOOT0 在 STM32 上可悬空，GD32 必须外
部下拉（从 Flash 运行，BOOT0 必须下拉地）
3) ESD 参数： STM32 人体模式 2KV,空气模式 500V
GD32 人体模式 4KV(内测 5KV),空气模式 10KV(内测 15KV)
3. 内部结构差别
1) 启动时间： GD32 启动时间相同，由于 GD 运行稍快，需要延长上电时间
配置(2ms)
2) 主频时钟： GD32F10 系列主频 108MHZ STM32F10 系列主频 72MHZ
3) Flash 擦除时间： GD32 是 60ms/page，STM 30ms/page
4) FLASH 容量： GD32 最大容量 3M Byte
5) SRAM 空间： GD32F103 系列、GD32F105\107 大容量系列 SRAM 96K
6) VB 外扩总线 FSMC：GD32 100PIN 配置总线输出，STM32 144PIN 并且 256k 以上
才配置总线输出
4. 功耗区别(以128k以下容量的作为参考)
1) 睡眠模式 Sleep： GD32F： 12.4mA STM32F10X： 7.5mA
2) 深度睡眠模式 Deep Sleep： GD32F： 1.4mA STM32F10X： 24uA
3) 待机模式 Stand By: GD32F: 10.5uA STM32F10X: 3.4uA
4) 运行功耗： GD32F: 32.4mA/72M STM32F10X: 52mA/72M
5. 内部FLASH 区别
1) ISP： 擦写时间同 STM32 有差异，使用新版 ISP 软件
2) IAP： 擦写时间相同，按字写入，按页擦除
3) 存储寿命： 10 万次擦写，数据保存 20 年以上
4) 加密特性： 除了常规的禁止读出和96 位 ID号码加密之外，GD32 数据写入
Flash 时，具有存储逻辑地址连续，物理地址不连续的特性。
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